[發(fā)明專(zhuān)利]一種LED拼光方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010134697.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111350950B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄒美芳;姚毅;顧玥;黃杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 凌云光技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | F21K9/00 | 分類(lèi)號(hào): | F21K9/00;F21V19/00;F21V29/10;F21Y115/10 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯長(zhǎng)明;許偉群 |
| 地址: | 100094 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 方法 裝置 | ||
1.一種LED拼光方法,其特征在于,應(yīng)用于印刷品檢測(cè)設(shè)備所用光源模組,所述光源模組包括多個(gè)發(fā)光單元,每個(gè)發(fā)光單元中包括多個(gè)發(fā)光顆粒,每個(gè)發(fā)光單元中至少有兩個(gè)發(fā)光顆粒的發(fā)光光譜不相同,每個(gè)發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度可調(diào),所述方法包括:
根據(jù)目標(biāo)光譜、需光設(shè)備為光源預(yù)留的空間大小以及需光強(qiáng)度來(lái)確定發(fā)光單元中發(fā)光顆粒的預(yù)設(shè)數(shù)量;
確定候選發(fā)光顆粒組,所述候選發(fā)光顆粒組包括預(yù)設(shè)數(shù)量的候選發(fā)光顆粒;
根據(jù)候選發(fā)光顆粒組的光譜分布確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組;
確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度;
其中,
所述根據(jù)候選發(fā)光顆粒組的光譜分布確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組包括:
確定候選光譜,所述候選光譜由候選發(fā)光顆粒組中各候選發(fā)光顆粒拼光所得;
獲取光譜標(biāo)準(zhǔn)差以及光強(qiáng)度相對(duì)偏差,所述光譜標(biāo)準(zhǔn)差為所述候選光譜與目標(biāo)光譜之間的標(biāo)準(zhǔn)差,所述光強(qiáng)度相對(duì)偏差為所述候選光譜與目標(biāo)光譜光強(qiáng)度的相對(duì)偏差;
確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組,所述目標(biāo)發(fā)光顆粒組為光譜標(biāo)準(zhǔn)差滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)差預(yù)設(shè)條件的候選發(fā)光顆粒組,
所述確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組包括:
獲取標(biāo)準(zhǔn)差比值,所述標(biāo)準(zhǔn)差比值為所述光譜標(biāo)準(zhǔn)差與目標(biāo)光譜光強(qiáng)度最大值的比值;
獲取光強(qiáng)偏差比例,所述光強(qiáng)偏差比例為小于相對(duì)偏差閾值的候選光強(qiáng)度相對(duì)偏差在所有采樣點(diǎn)光強(qiáng)度相對(duì)偏差中的比例;
獲取最大相對(duì)偏差,所述最大相對(duì)偏差為相對(duì)偏差中的最大值;
確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組,所述目標(biāo)發(fā)光顆粒組所得拼光的特征參數(shù)滿(mǎn)足預(yù)設(shè)條件,所述特征參數(shù)包括標(biāo)準(zhǔn)差比值、光強(qiáng)偏差比例和最大相對(duì)偏差;
所述確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度包括:
調(diào)節(jié)所述目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度;
獲取節(jié)點(diǎn)光譜,所述節(jié)點(diǎn)光譜分布圖為在每個(gè)調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)所采集所述目標(biāo)發(fā)光顆粒組拼光的光譜圖;
根據(jù)所述節(jié)點(diǎn)光譜確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度;
根據(jù)所述節(jié)點(diǎn)光譜確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度包括:
對(duì)節(jié)點(diǎn)光譜中各采樣點(diǎn)處光強(qiáng)度均勻采樣;
計(jì)算節(jié)點(diǎn)光譜與目標(biāo)光譜在各采樣點(diǎn)光強(qiáng)度的差值;
根據(jù)所述差值計(jì)算節(jié)點(diǎn)光譜標(biāo)準(zhǔn)差以及各采樣點(diǎn)光強(qiáng)度相對(duì)偏差;
根據(jù)節(jié)點(diǎn)光譜標(biāo)準(zhǔn)差確定所述節(jié)點(diǎn)光譜確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述獲取光譜標(biāo)準(zhǔn)差以及光強(qiáng)度相對(duì)偏差包括:
對(duì)拼光光譜中各采樣點(diǎn)處光強(qiáng)度均勻采樣;
計(jì)算拼光光譜與目標(biāo)光譜在各采樣點(diǎn)光強(qiáng)度的差值;
根據(jù)所述差值計(jì)算光譜標(biāo)準(zhǔn)差以及各采樣點(diǎn)光強(qiáng)度相對(duì)偏差。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,確定目標(biāo)發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度后,如果所得拼光的光譜分布不滿(mǎn)足需求,則所述方法還包括:
增加發(fā)光單元中發(fā)光顆粒的預(yù)設(shè)數(shù)量;
根據(jù)候選發(fā)光顆粒的光譜分布更新目標(biāo)發(fā)光顆粒組;
確定更新后發(fā)光顆粒組的發(fā)光強(qiáng)度。
4.一種用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述LED拼光方法的LED拼光裝置,其特征在于,所述裝置包括:
預(yù)設(shè)數(shù)量選取模組,用于確定發(fā)光單元中發(fā)光顆粒的預(yù)設(shè)數(shù)量;
候選發(fā)光顆粒組確定模組,用于確定候選發(fā)光顆粒組,所述候選發(fā)光顆粒組包括預(yù)設(shè)數(shù)量的候選發(fā)光顆粒;
目標(biāo)發(fā)光顆粒組確定模組,用于根據(jù)候選發(fā)光顆粒組的光譜分布確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組;
發(fā)光強(qiáng)度確定模組,用于確定目標(biāo)發(fā)光顆粒組中各發(fā)光顆粒的發(fā)光強(qiáng)度。
5.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令,該指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述LED拼光方法的步驟。
6.一種檢測(cè)設(shè)備,所述檢測(cè)設(shè)備包括:至少一個(gè)處理器;以及與所述至少一個(gè)處理器通信連接的存儲(chǔ)器;其中,所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可被所述一個(gè)處理器執(zhí)行的指令,所述指令被所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行,以使所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行上述權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述LED拼光方法。
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