[發(fā)明專利]有源區(qū)陣列的形成方法及半導體結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010134688.8
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN113345800B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設計）人: 平爾萱;周震;劉洋浩
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L27/108
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種有源區(qū)陣列的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底；

依次形成第四掩膜層以及覆蓋于所述第四掩膜層表面的第五掩膜層于所述襯底表面；

形成覆蓋于所述第五掩膜層表面的第一掩膜層；

刻蝕所述第一掩膜層，形成多個第一刻蝕圖形，所述第一刻蝕圖形將所述第一掩膜層分割為多條第一有源線；

沉積填充滿所述第一刻蝕圖形并覆蓋所述第一掩膜層表面的第六掩膜層；

沉積第二掩膜層于所述第六掩膜層表面；

沿垂直于所述襯底的方向沉積第三掩膜層于所述第二掩膜層表面；

形成光阻層于所述第三掩膜層表面，所述光阻層中具有開口；

沿所述開口刻蝕所述第三掩膜層，于所述第三掩膜層中形成第二刻蝕圖形；

形成覆蓋所述第二刻蝕圖形側(cè)壁的側(cè)墻；

去除所述第三掩膜層，于相鄰所述側(cè)墻之間形成第三刻蝕圖形；

沿所述第三刻蝕圖形依次刻蝕所述第二掩膜層、所述第六掩膜層和所述第一掩膜層，形成暴露所述第五掩膜層的第四刻蝕圖形，所述第四刻蝕圖形將一條所述第一有源線切割為多段；

沿所述第一刻蝕圖形和所述第四刻蝕圖形刻蝕所述第五掩膜層，于所述第五掩膜層中分別形成第五刻蝕圖形和第六刻蝕圖形，所述第五刻蝕圖形和所述第六刻蝕圖形將所述第五掩膜層分割為多條第二有源線；

形成包覆所述第二有源線的包覆層；

沿所述第五刻蝕圖形和所述第六刻蝕圖形依次刻蝕所述第四掩膜層和所述襯底，于襯底內(nèi)形成多個有源區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的有源區(qū)陣列的形成方法，其特征在于，所述包覆層的材料與所述第五掩膜層的材料相同。

3.根據(jù)權利要求1所述的有源區(qū)陣列的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕圖形和所述第三刻蝕圖形均為溝槽，且所述第三刻蝕圖形的寬度大于所述第一刻蝕圖形。

4.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

有源區(qū)陣列，所述有源區(qū)陣列采用如權利要求1-3中任一項所述的有源區(qū)陣列的形成方法形成。