[發明專利]半導體封裝件和半導體裝置

在審

• 申請號: 202010134175.7
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN112103257A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 李應彰;姜熙燁;梁海凈;吳泳錄;李基澤;李奉載
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;韓國科學技術院
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

提供了半導體封裝件和半導體裝置。所述半導體封裝件包括：半導體芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，所述聚二甲基硅氧烷層設置在所述半導體芯片上，所述聚二甲基硅氧烷層的上表面暴露于外部。由于半導體封裝件可以包括PDMS層，所以半導體封裝件在真空狀態下的散熱性能可以改善。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月17日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0071776的權益，其公開內容通過引用全部合并于此。

技術領域

本發明構思涉及半導體封裝件和半導體裝置，并且更具體地，涉及在真空狀態下具有高的熱輻射性能的半導體封裝件和半導體裝置。

背景技術

期望半導體芯片的存儲容量高以及包括該半導體芯片的半導體裝置薄且輕。由于半導體芯片產生大量的熱，所以向半導體裝置的外部散發熱的性能對于確保半導體裝置的操作穩定性和產品可靠性至關重要。

另外，近來，半導體裝置被廣泛地用于在真空狀態下操作的裝置，諸如航天器、空間站和衛星。因此，半導體裝置在真空狀態下的改善的散熱性能是所期望的。

發明內容

本發明構思提供了在真空狀態下具有高的散熱性能的半導體封裝件和半導體裝置。

本發明構思提供了具有高的電絕緣性和耐久性的半導體封裝件和半導體裝置。

根據本發明構思的一方面，本公開涉及半導體封裝件，其包括：半導體芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，所述聚二甲基硅氧烷層設置在所述半導體芯片上，其中，所述PDMS層的上表面暴露于所述半導體封裝件的外部。

根據本發明構思的一方面，本公開涉及半導體封裝件，其包括：半導體芯片；散熱器，所述散熱器位于所述半導體芯片上；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，所述聚二甲基硅氧烷層設置在所述散熱器上，其中，所述PDMS層的上表面暴露于所述半導體封裝件的外部。

根據本發明構思的一方面，本公開涉及半導體裝置，其包括：基板；半導體芯片，所述半導體芯片安裝在所述基板上；控制器，所述控制器安裝在所述基板上，并且被配置為控制所述半導體芯片；殼體，所述殼體被配置為包圍所述半導體芯片和所述控制器；和內部聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，所述內部聚二甲基硅氧烷層位于所述殼體的內壁上。

根據本發明構思的半導體封裝件和半導體裝置包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，并且在真空狀態下可以具有高的散熱性能。

另外，根據本發明構思的半導體封裝件和半導體裝置包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)層，并且可以具有高的電絕緣性和耐久性。

附圖說明

通過以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本發明構思的實施例，在附圖中：

圖1是根據比較例的半導體封裝件的截面圖；

圖2至圖14是根據本發明構思的示例實施例的半導體封裝件的截面圖；

圖15是示出根據本發明構思的示例實施例的形成聚二甲基硅氧烷(PDMS)層的方法的截面圖；

圖16是示出根據旋轉卡盤的旋轉板的每分鐘轉數(RPM)而形成的PDMS層的厚度的曲線圖；

圖17至圖21是示出根據本發明構思的示例實施例的形成PDMS層的方法的視圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖詳細描述本發明構思的實施例。在附圖中，相同的附圖標記始終表示相同的元件。

圖1是根據比較例的半導體封裝件100的截面圖。半導體封裝件100可以包括半導體芯片10和散熱器11。