[發(fā)明專利]芯片轉(zhuǎn)移裝置及芯片轉(zhuǎn)移方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010133893.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113314446B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 覃宗偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 轉(zhuǎn)移 裝置 方法 | ||
1.一種芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,用于轉(zhuǎn)移芯片,所述芯片具有芯片主體和設(shè)置在所述芯片主體一側(cè)表面的凸臺(tái),所述芯片轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板,所述轉(zhuǎn)移基板表面設(shè)置有多個(gè)凹槽;
其中,每個(gè)所述凹槽僅能夠容納一個(gè)所述芯片的凸臺(tái),并使得與所述凸臺(tái)連接的芯片主體搭在所述凹槽的開口上;所述凹槽的開口在所述凹槽底面的正投影面積小于所述凹槽底面的面積,所述凹槽底面與所述凹槽側(cè)壁形成的夾角小于等于所述凸臺(tái)遠(yuǎn)離所述芯片主體的端面與所述凸臺(tái)側(cè)壁形成的夾角。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述凸臺(tái)的最大寬度小于等于所述凹槽的最小寬度,且差值在設(shè)定位置精度范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述凹槽的開口在所述凹槽底面的正投影面積大于所述凹槽底面的面積,所述凹槽的底面與容納的所述凸臺(tái)的端面至少在一個(gè)方向上的尺寸相等。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述凹槽的深度大于等于所述凸臺(tái)的高度。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述凸臺(tái)和所述凹槽的縱截面、橫截面均為矩形、梯形、半圓形、半橢圓形或者兩種以上的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,沿所述芯片主體搭在所述凹槽的開口上的方向,所述芯片主體的寬度為1μm~1mm。
7.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,在所述凸臺(tái)的高度方向,所述芯片主體的厚度大于所述凹槽的開口處兩點(diǎn)間的最大尺寸。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,在所述凸臺(tái)的高度方向,所述芯片主體的厚度至少小于所述凹槽的開口在一個(gè)方向上的最大尺寸的1/2,且所述凸臺(tái)的高度和所述芯片主體的厚度之和大于所述凹槽開口在所述方向上的最大尺寸。
9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述轉(zhuǎn)移基板表面設(shè)置有至少兩種凹槽,不同種類的凹槽的開口形狀不同。
10.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,所述芯片為微LED芯片。
11.一種芯片轉(zhuǎn)移方法,利用權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的芯片轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于,包括:
將多個(gè)所述芯片放置在所述轉(zhuǎn)移基板表面;以及
進(jìn)行搖篩,使所述芯片在所述轉(zhuǎn)移基板表面移動(dòng),直至至少部分所述凸臺(tái)落入所述凹槽,而與落入凹槽的所述凸臺(tái)連接的芯片主體搭在所述凹槽的開口上。
12.如權(quán)利要求11所述的芯片轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,在進(jìn)行搖篩的步驟中,所述芯片在平行于所述轉(zhuǎn)移基板表面的方向移動(dòng),且在所述轉(zhuǎn)移基板表面的垂向上下運(yùn)動(dòng)。
13.如權(quán)利要求12所述的芯片轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述芯片在平行于所述轉(zhuǎn)移基板表面的方向的運(yùn)動(dòng)幅度大于在所述轉(zhuǎn)移基板表面的垂向上的運(yùn)動(dòng)幅度。
14.如權(quán)利要求11所述的芯片轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,在進(jìn)行搖篩的步驟中,在所述轉(zhuǎn)移基板表面增加水平向的輔助氣流。
15.如權(quán)利要求11所述的芯片轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,在完成搖篩之后,還包括:
傾斜所述轉(zhuǎn)移基板,使所述轉(zhuǎn)移基板表面上的芯片中,凸臺(tái)未落入凹槽的所述芯片滑離所述轉(zhuǎn)移基板表面,以及使落入凹槽內(nèi)的所有所述凸臺(tái)均沿同一方向靠向凹槽開口邊緣。
16.如權(quán)利要求15所述的芯片轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,在凸臺(tái)未落入凹槽的所述芯片滑離所述轉(zhuǎn)移基板表面后,還包括:
對(duì)所述轉(zhuǎn)移基板進(jìn)行AOI掃描;以及
基于所述AOI掃描的結(jié)果,對(duì)所述轉(zhuǎn)移基板上未填充有凸臺(tái)的凹槽進(jìn)行補(bǔ)填。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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