[發明專利]一種制絨的脫水烘干方法在審
| 申請號: | 202010133629.9 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN111341856A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | 周公慶;談仕詳;王秀鵬;姚騫;陳坤;張忠文;謝毅 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(眉山)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人: | 鄧蕓 |
| 地址: | 620000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 脫水 烘干 方法 | ||
本發明涉及太陽能電池生產制造技術領域,具體是一種制絨的脫水烘干方法,用于解決現有技術中將花籃從提拉槽中拉取上來時,會在硅片表面留下不少水滴的問題。本發明包括以下步驟:步驟1:通過機械手抓取帶硅片且位于提拉槽中的花籃,并使花籃的正面和側面同時傾斜;步驟2:通過機械手緩慢的將花籃從提拉槽中拉出,花籃底部與水的接觸面積由大到小逐漸變化;步驟3:通過機械手將帶硅片的花籃擺正并送至烘干槽中;步驟4:將硅片烘干后,通過機械手將花籃從烘干槽中提出。本發明通過硅片在提升過程中將花籃的正面和側面都設置一定的傾斜角度,從而可以最大限度的降低硅片表面的殘留水滴。
技術領域
本發明涉及太陽能電池生產制造技術領域,更具體的是涉及一種制絨的脫水烘干方法。
背景技術
制絨在整個硅電池制備領域中極其重要,制絨工序將硅片表面進行絨面的制絨和清洗,表面始終會殘留水漬,而這部分水漬如果去除的不徹底,就會進入到擴散工序,就會在高溫過程中與擴散工序中的偏磷酸反應,或者直接高溫生成氧化層,造成大量的返工片。即使少量的水汽進入擴散工序也會在擴散的石英舟卡點等位置出現外觀顏色異常,還有部分肉眼不可見的水漬甚至可能進入到后面的工序引起EL或者電性能的異常。因此,在制絨工序工序后需要將硅片表面的水除去。
現有技術中用慢提拉的方式再加上干熱空氣烘干的方法將硅片表面脫水,慢提拉可以減少硅片表面絕大多數水滴,而干熱空氣烘干則可以將剩余的小水滴進行烘干處理。可是慢提拉過程中,花籃下平面是與水面平行的,花籃的下平面是同時與水平面脫離的,同時再疊加上車間內設備的震動,機械臂的震動,在這一瞬間,會出現部分水花,所以可能原本已經脫水的硅片表面,又被粘上少量的水滴。因此,我們迫切的需要一種可以能更加有效的除去硅片表面殘留水滴的制絨脫水烘干方法。
發明內容
基于以上問題,本發明提供了一種制絨的脫水烘干方法,用于解決現有技術中將花籃從提拉槽中拉取上來時,會在硅片表面留下不少水滴的問題。本發明中通過利用水的表面張力和硅片的疏水性,硅片在提升過程中將花籃的正面和側面都設置一定的傾斜角度,花籃在上升的過程中,水與花籃底部的接觸面積會呈現出由大到小的逐漸變化,最大限度利用水的表面張力,將硅片與硅片之間以及硅片與花籃卡槽之間的水滴吸出,從而可以最大限度的降低硅片表面的殘留水滴。
本發明為了實現上述目的具體采用以下技術方案:
一種制絨的脫水烘干方法,包括以下步驟:
步驟1:通過機械手抓取帶硅片且位于提拉槽中的花籃,并使花籃的正面和側面同時傾斜;
步驟2:通過機械手緩慢的將花籃從提拉槽中拉出,花籃底部與水的接觸面積由大到小逐漸變化;
步驟3:通過機械手將帶硅片的花籃擺正并送至烘干槽中;
步驟4:將硅片烘干后,通過機械手將花籃從烘干槽中提出。
工作原理:將硅片表面進行絨面的制絨和清洗后,帶有硅片的花籃上設有機械手的抓持槽,通過機械手抓住花籃上的抓持槽,利用水表面的張力和硅片的疏水性,硅片在提升過程中,將花籃的正面和側面都設置一定的傾斜角度,然后通過機械手提升花籃,花籃在上升的過程中,水與花籃底部的接觸面積要求由大到小的逐漸變化,這樣花籃下平面與水面不是平行的,花籃的下平面與水平面不是同時脫離的,最大限度利用水的表面張力,將硅片與硅片之間以及硅片與花籃卡槽之間的水滴吸出,從而可以最大限度的降低硅片表面的殘留水滴;
提拉槽中的花籃被拉緹上來后,再由機械手將帶硅片的花籃送入烘干槽中,直到硅片在烘干槽內被烘干后,再由機械手將花籃從烘干槽中提取出來,即可完成對硅片的脫水烘干。
作為一種優選的方式,所述烘干槽內頂部相對兩側分別設有一排進氣口,所述進氣口內均可通入干熱空氣,通過機械手將帶硅片的花籃移至烘干槽中,再將烘干槽蓋板閉合,然后在進氣口中通入干熱空氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





