[發(fā)明專利]一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010133348.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN111240888A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊建民;魏智汎;齊元輔;王宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇華存電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F11/10
• 分類號(hào): G06F11/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明公開了一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法，包括閃存主控，所述閃存主控內(nèi)設(shè)有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存控制器，所述閃存主控與存取界面通過(guò)私有指令雙向連接，所述閃存控制器與閃存陣列雙向連接。本發(fā)明涉及主控芯片內(nèi)部狀態(tài)寄存器的讀取記錄與輸出，以及實(shí)體位置映射與邏輯位置映射轉(zhuǎn)換后的解析問(wèn)題，通過(guò)此方法降低在存儲(chǔ)裝置問(wèn)題分析上的困難度并簡(jiǎn)化問(wèn)題分析的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及閃存技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法。

背景技術(shù)

閃存（NAND Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為4MB到32MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。

在現(xiàn)今的閃存存儲(chǔ)裝置中，透過(guò)電腦端的作業(yè)系統(tǒng)去編輯邏輯位址對(duì)閃存存儲(chǔ)裝置做資料存取，并透過(guò)存儲(chǔ)裝置中的事務(wù)層(FTL, Flash transaction layer)轉(zhuǎn)化為閃存的實(shí)體位址對(duì)閃存的實(shí)體區(qū)塊做資料存取，但當(dāng)區(qū)塊存取錯(cuò)誤時(shí)，研發(fā)人員無(wú)法實(shí)時(shí)得知在閃存區(qū)塊當(dāng)時(shí)的狀況與實(shí)體位置，必須離線透過(guò)特殊工具去判斷錯(cuò)誤方式與位置，且無(wú)法對(duì)應(yīng)作業(yè)系統(tǒng)邏輯位址與實(shí)體位置的相對(duì)應(yīng)關(guān)系。同時(shí)也定義了特定的讀寫資訊，讓工程師可以實(shí)時(shí)了解閃存內(nèi)的運(yùn)作方式是否正確。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法，包括閃存主控，所述閃存主控內(nèi)設(shè)有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存控制器，所述閃存主控與存取界面通過(guò)私有指令雙向連接，所述閃存控制器與閃存陣列雙向連接。

優(yōu)選的，一種實(shí)時(shí)偵測(cè)閃存存取狀態(tài)與錯(cuò)誤的方法，包括以下步驟：

A、當(dāng)閃存主控開始運(yùn)作時(shí)，系統(tǒng)透過(guò)存取界面對(duì)閃存做資料操作；

B、當(dāng)閃存控制器發(fā)現(xiàn)操作錯(cuò)誤或是固件運(yùn)行到需要記錄與糾錯(cuò)或監(jiān)看的任何狀態(tài)時(shí)，會(huì)將當(dāng)下需要的的資訊實(shí)時(shí)放入已規(guī)劃好特定空間的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中；

C、并透過(guò)界面的私有指令將其資料讀出并清空該區(qū)域，以便下次的錯(cuò)誤資訊存入。

優(yōu)選的，當(dāng)發(fā)現(xiàn)固件與軟件預(yù)先埋入的觸發(fā)點(diǎn)被觸發(fā)時(shí)，將定義好錯(cuò)誤種類與方式將資料存入靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器中，具體步驟如下：

A、當(dāng)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器內(nèi)的空間已填滿但私有指令尚未下達(dá)讀取時(shí)，新的記錄分析資料可覆蓋舊資料，持續(xù)地向靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器做寫入；

B、或者也可以選擇在存儲(chǔ)器空間已滿時(shí)暫停存入資料,等待主機(jī)端將已記錄之訊息讀出并空出可用空間時(shí)再繼續(xù)錄入訊息。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明涉及主控芯片內(nèi)部狀態(tài)寄存器的讀取記錄與輸出，以及實(shí)體位置映射與邏輯位置映射轉(zhuǎn)換后的解析問(wèn)題，通過(guò)此方法降低在存儲(chǔ)裝置問(wèn)題分析上的困難度并簡(jiǎn)化問(wèn)題分析的方法。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明原理框圖；

圖2為本發(fā)明行為與狀態(tài)表示示意圖；

圖3為本發(fā)明流程圖；

圖4為本發(fā)明讀取錯(cuò)誤時(shí)流程圖。

具體實(shí)施方式