[發(fā)明專利]一種實時交互硬盤陣列智能化節(jié)能的方法和設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010132983.X | 申請日： | 2020-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN111338458A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 施世磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號： | G06F1/3225 | 分類號： | G06F1/3225;G06F1/3234;G06F1/3287 |
| 代理公司： | 北京連和連知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278 | 代理人： | 陳黎明 |
| 地址： | 215100 江蘇省蘇州市吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 實時 交互 硬盤 陣列 智能化 節(jié)能 方法 設備 | ||
1.一種實時交互硬盤陣列智能化節(jié)能的方法，其特征在于，包括以下步驟：
在所述硬盤陣列中的每個硬盤和每個所述硬盤的電源中間設置MOS管；
利用BMC監(jiān)控所述硬盤的狀態(tài)；
響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤被訪問，使所述BMC控制所述MOS管導通以使所述硬盤連接到所述電源；
響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤經(jīng)閾值時間沒有被操作，使所述BMC控制所述MOS管斷開以使所述硬盤不連接所述電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤被訪問，所述BMC控制所述MOS管導通以使所述硬盤連接到所述電源包括：
響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤被訪問，使所述BMC向CPLD發(fā)出第一控制信號；
所述第一控制信號經(jīng)由所述CPLD的延時單元處理后向所述MOS管的柵極輸出第一使能信號，所述第一使能信號使所述MOS管導通以使所述硬盤連接到所述電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤經(jīng)閾值時間沒有被操作，使所述BMC控制所述MOS管斷開以使所述硬盤不連接所述電源包括：
響應于BMC監(jiān)控到所述硬盤經(jīng)閾值時間沒有被操作，使所述BMC向CPLD發(fā)出第二控制信號；
所述第二控制信號經(jīng)由所述CPLD的延時單元處理后向所述MOS管的柵極輸出第二使能信號，所述第二使能信號使所述MOS管斷開以使所述硬盤不連接所述電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硬盤陣列中的每個硬盤和每個所述硬盤的電源中間設置MOS管包括：
所述MOS管的柵極連接到CPLD，源極連接到所述電源，漏極連接到所述硬盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用BMC監(jiān)控所述硬盤的狀態(tài)包括：
使所述BMC通過SMBUS總線監(jiān)控所述硬盤的在位信息和所述硬盤的讀寫數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
6.一種實時交互硬盤陣列智能化節(jié)能的設備，其特征在于，所述設備包括：
監(jiān)控模塊，所述監(jiān)控模塊配置為利用BMC監(jiān)控所述硬盤的狀態(tài)；
第一控制模塊，所述第一控制模塊配置為響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤被訪問，使所述BMC控制設置在所述硬盤陣列中的每個硬盤和每個所述硬盤的電源中間的MOS管導通以使所述硬盤連接到所述電源；
第二控制模塊，所述第二控制模塊配置為響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤經(jīng)閾值時間沒有被操作，使所述BMC控制所述MOS管斷開以使所述硬盤不連接所述電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設備，其特征在于，所述第一控制模塊還配置為：
響應于所述BMC監(jiān)控到所述硬盤被訪問，使所述BMC向CPLD發(fā)出第一控制信號；
所述第一控制信號經(jīng)由所述CPLD的延時單元處理后向所述MOS管的柵極輸出第一使能信號，所述第一使能信號使所述MOS管導通以使所述硬盤連接到所述電源。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設備，其特征在于，所述第二控制模塊還配置為：
響應于BMC監(jiān)控到所述硬盤經(jīng)閾值時間沒有被操作，使所述BMC向CPLD發(fā)出第二控制信號；
所述第二控制信號經(jīng)由所述CPLD的延時單元處理后向所述MOS管的柵極輸出第二使能信號，所述第二使能信號使所述MOS管斷開以使所述硬盤不連接所述電源。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設備，其特征在于，在所述硬盤陣列中的每個硬盤和每個所述硬盤的電源中間設置MOS管包括：
所述MOS管的柵極連接到CPLD，源極連接到所述電源，漏極連接到所述硬盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設備，其特征在于，所述監(jiān)控模塊還配置為使所述BMC通過SMBUS總線監(jiān)控所述硬盤的在位信息和所述硬盤的讀寫數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
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