[發(fā)明專利]具有在線監(jiān)測功能的晶體生長裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010132322.7
• 申請日: 2020-02-29
• 公開（公告）號(hào): CN111455455A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝;東芳;高冰;周振;甘志銀;王詩兆
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B23/00
• 分類號(hào): C30B23/00;C30B29/04;C30B29/06;C30B29/16;C30B29/20;C30B29/36;C30B29/38;C30B29/40;G01K1/14;G01N21/25;G01N23/20;G01N27/62
• 代理公司: 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 鄭勤振

1.一種晶體生長裝置，其特征在于，包括：

生長坩堝，其上具有至少兩個(gè)檢測窗口，所述檢測窗口通過閥門密封；

透明密封腔，罩在所述檢測窗口上在所述閥門打開時(shí)使所述生長坩堝處于密閉狀態(tài)；

光譜儀，位于所述生長坩堝外，其中光譜儀發(fā)射器對準(zhǔn)所述至少兩個(gè)檢測口中的一個(gè)，光譜儀接收器對準(zhǔn)所述至少兩個(gè)檢測口中的另一個(gè)；和/或

XRD衍射儀，位于所述生長坩堝外，其中XRD發(fā)射器對準(zhǔn)所述至少兩個(gè)檢測口中的一個(gè)，XRD接收器對準(zhǔn)所述至少兩個(gè)檢測口中的另一個(gè)；和/或

質(zhì)譜儀，其探頭位于所述生長坩堝內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，還包括檢測所述生長坩堝側(cè)壁溫度的測溫儀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述測溫儀位于垂直升降裝置上。