[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010131962.6
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN111628054A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西影治彥;宮本佳典;細(xì)川泰伸
• 申請（專利權(quán)）人: 日亞化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 韓鋒

提供一種能夠提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體元件的制造方法。半導(dǎo)體元件的制造方法具備：在第一晶圓(10)上形成由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層(20)的工序；將第二晶圓(30)隔著半導(dǎo)體層(20)貼合于第一晶圓(10)的工序。第一晶圓(10)的上表面(15)包括第一區(qū)域(11)和第二區(qū)域(12)，該第二區(qū)域設(shè)置在第一區(qū)域的周圍，并且處于比第一區(qū)域低的位置。俯視時，通過第一晶圓(10)的中心且與半導(dǎo)體層(20)的m軸平行的第一方向(V1)上的第一晶圓(10)的端緣(17)與第一區(qū)域(11)的第一距離(D1)比通過第一晶圓(10)的中心且與半導(dǎo)體層(20)的a軸平行的第二方向(V2)上的第一晶圓(10)的端緣(17)與第一區(qū)域(11)的第二距離(D2)短。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的制造方法。

背景技術(shù)

作為制造發(fā)光二極管(Light Emitting Diode：LED)等半導(dǎo)體元件的方法之一，例如專利文獻(xiàn)1中公開了一種使半導(dǎo)體層在藍(lán)寶石基板等成長基板即晶圓上成長，然后與支承基板貼合的方法。在這樣的半導(dǎo)體元件的制造方法中，存在在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生裂紋而使生產(chǎn)率下降的情況。

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2011/161975號

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明的一個實施方式是鑒于上述技術(shù)問題而做出的，其目的在于提供一種能夠使生產(chǎn)率提高的半導(dǎo)體元件的制造方法。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個實施方式的半導(dǎo)體元件的制造方法具備：在第一晶圓上形成由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層的工序；將第二晶圓隔著所述半導(dǎo)體層貼合于所述第一晶圓的工序。所述第一晶圓的上表面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，該第二區(qū)域設(shè)置在所述第一區(qū)域的周圍，并且處于比所述第一區(qū)域低的位置。在俯視所述第一晶圓時，通過所述第一晶圓的中心且與所述半導(dǎo)體層的m軸平行的第一方向上的所述第一晶圓的端緣與所述第一區(qū)域的第一距離比通過所述第一晶圓的中心且與所述半導(dǎo)體層的a軸平行第二方向上的所述第一晶圓的端緣與所述第一區(qū)域之間的第二距離短。所述第二晶圓的下表面包括平坦部和傾斜部，該傾斜部設(shè)置在所述平坦部的周圍，并且從所述平坦部朝向上表面傾斜。在對所述第二晶圓進(jìn)行貼合的工序中，使位于所述第一方向上的所述第一晶圓的端部與所述第二晶圓的所述傾斜部相對并貼合。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，可實現(xiàn)能夠使生產(chǎn)率提高的半導(dǎo)體元件的制造方法。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的半導(dǎo)體元件的制造方法的流程圖。

圖2A是表示本發(fā)明的一個實施方式中的第一晶圓的俯視圖。

圖2B是沿著圖2A所示的第一方向的局部剖面圖。

圖2C是沿著圖2A所示的第二方向的局部剖面圖。

圖3A是表示實施方式中的第一晶圓和半導(dǎo)體層的俯視圖。

圖3B是沿著圖3A所示的第一方向的局部剖面圖。

圖3C是沿著圖3A所示的第二方向的局部剖面圖。

圖4A是表示半導(dǎo)體層的晶體取向的俯視圖。

圖4B是表示半導(dǎo)體層的晶體取向的立體圖。

圖5是表示本發(fā)明的一個實施方式中的第二晶圓的仰視圖。

圖6A是表示本發(fā)明的一個實施方式中的第一晶圓、半導(dǎo)體層以及第二晶圓的俯視圖。

圖6B是沿著圖6A所示的第一方向的局部剖面圖。

圖6C是沿著圖6A所示的第二方向的局部剖面圖。