[發(fā)明專利]基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池傳感器及污染物分析方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010131909.6 | 申請日: | 2020-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN111337563B | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉梅川;陸漢星;孫歡歡;趙國華 | 申請(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號: | G01N27/48 | 分類號: | G01N27/48;G01N27/327;G01N27/38;G01N27/32;G01N27/30 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 吳文濱 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 陽極 光誘導(dǎo) 燃料電池 傳感器 污染物 分析 方法 | ||
1.一種基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池自供能傳感器,其特征在于,該傳感器包括光陽極、陰極、光陽極燃料及陰極燃料,所述的光陽極為Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極,所述的陰極為GCE/G/MIP電極,所述的光陽極燃料為葡萄糖,所述的陰極燃料為K3[Fe(CN)6];
所述的Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極是將Ni(OH)2修飾在直立有序的Ti-Fe-O NTs納米管電極上;所述的GCE/G/MIP電極是以石墨烯修飾的玻碳電極為基底,并在基底上引入具有待測環(huán)境污染物原位分子印跡位點(diǎn)的聚鄰苯二胺膜。
2.一種如權(quán)利要求1所述的基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池自供能傳感器的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
1)分別制備Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極及GCE/G/MIP電極;
2)組裝形成光燃料電池自供能傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池自供能傳感器的制備方法,其特征在于,步驟1)中,所述的Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極的制備過程包括以下步驟:
1-1a)Ti-Fe-O NTs納米管基底電極的制備:先對Ti-Fe合金板進(jìn)行打磨處理,之后將Ti-Fe合金板進(jìn)行一步陽極氧化、高溫煅燒;
1-2a)Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極的制備:以含有十二烷基硫酸鈉的Ni(NO3)2溶液作為電解液,以Ti-Fe-O NTs納米管基底電極為工作電極,以飽和甘汞電極、鉑片電極分別作為參比電極、對電極,進(jìn)行電化學(xué)沉積,即得到所述的Ti-Fe-O NTs/Ni(OH)2電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池自供能傳感器的制備方法,其特征在于,步驟1-1a)中,
打磨處理過程為:先將Ti-Fe合金板打磨至表面光滑,之后進(jìn)行超聲清洗并干燥;
一步陽極氧化過程為:將打磨處理后的Ti-Fe合金板作為陽極,置于含有NH4F和H2O的乙二醇溶液中,以鉑片電極作為陰極,在攪拌條件下,采用直流電源施加電壓進(jìn)行陽極氧化,之后取出Ti-Fe合金板并洗滌;
高溫煅燒過程為:將陽極氧化后的Ti-Fe合金板置于管式爐中,在高溫下進(jìn)行煅燒,即得到所述的Ti-Fe-O NTs納米管基底電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料自供能電池傳感器的制備方法,其特征在于,
步驟1-1a)中,陽極氧化過程中,直流電源的電壓為25-35V,陽極氧化時(shí)間為2-4h;高溫煅燒過程中,溫度為450-550℃,時(shí)間為2-4h;
步驟1-2a)中,電化學(xué)沉積過程中,施加的電位為-1.0V至-0.8V,沉積時(shí)間為80-120s。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于陽極光誘導(dǎo)的光燃料電池自供能傳感器的制備方法,其特征在于,步驟1)中,所述的GCE/G/MIP電極的制備過程包括以下步驟:
1-1b)玻碳電極的預(yù)處理:先依次對玻碳電極進(jìn)行打磨、清洗、干燥,之后進(jìn)行活化;
1-2b)GCE/G電極的制備:將石墨烯分散液滴加在預(yù)處理后的玻碳電極上,待其自然晾干后,再滴加石墨分散液,自然晾干后即得到GCE/G電極;
1-3b)制備含有待測環(huán)境污染物分子的聚鄰苯二胺膜的印跡電極:以GCE/G電極作為工作電極,以飽和甘汞電極作為參比電極,以鉑絲電極作為對電極,將含有待測環(huán)境污染物分子的溶液與鄰苯二胺溶液加入至醋酸緩沖溶液中,進(jìn)行電化學(xué)聚合,得到含有待測環(huán)境污染物分子的聚鄰苯二胺膜的印跡電極;
1-4b)模板分子的去除:將步驟1-3b)中得到的印跡電極置于洗脫液中,在攪拌條件下洗脫去除環(huán)境污染物分子,即得到所述的GCE/G/MIP電極。
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