[發明專利]一種基于微結構的超浸潤表面及其制備方法有效
| 申請號： | 202010131779.6 | 申請日： | 2020-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN111392684B | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發明（設計）人： | 李平;段輝高;王兆龍 | 申請（專利權）人： | 湖南大學 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京睿博行遠知識產權代理有限公司 11297 | 代理人： | 劉桂榮 |
| 地址： | 410082*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 微結構 浸潤 表面 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于基于微結構的超浸潤表面的制備方法，其特征在于：包括以下步驟，
步驟一、提供襯底并對襯底進行清洗；
步驟二、在清洗后的襯底上旋涂一層負性光刻膠，制得旋涂負性光刻膠的樣品；
步驟三、將旋涂負性光刻膠的樣品放在熱板上進行烘烤，去除步驟二中光刻膠中的溶劑；
步驟四、利用光刻技術對步驟三中的光刻膠進行圖案化曝光，制作微結構樣品；
步驟五、將微結構樣品放在熱板上進行烘烤，去除步驟四中光刻膠中的溶劑；
步驟六、利用顯影液對曝光后的微結構樣品進行顯影操作得到顯影后微結構樣品；
步驟七、利用斜角離子束刻蝕，對顯影后微結構樣品進行處理；
步驟八、利用氧等離子體對步驟七得到的顯影后微結構樣品進行處理，制備出超浸潤表面；
所述步驟一的襯底為氧化硅襯底；
所述步驟二中的負型光刻膠為SU-8?3035；
所述步驟四中的光刻技術為紫外曝光技術，進行接觸式曝光；
所述步驟六中的顯影液為負型光刻膠顯影液，所述負型光刻膠顯影液包括PGMEA溶液和異丙醇；
所述步驟三和步驟五中的烘烤的溫度范圍分別為65℃～120℃，95℃～120℃，烘烤的時間分別為100～180分鐘，5～10min；
所述步驟七中，離子束刻蝕能量范圍200～900eV，束流范圍為30～100mA。
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