[發(fā)明專利]化合物、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010131505.7 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111253377B | 公開(公告)日: | 2023-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張磊;高威;牛晶華;代文朋;李俠 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢天馬微電子有限公司;武漢天馬微電子有限公司上海分公司 |
| 主分類號(hào): | C07D405/04 | 分類號(hào): | C07D405/04;C07D409/04;C07D405/14;C07D409/14;H10K85/60;H10K50/15;H10K50/18 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 馮偉 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明屬于OLED技術(shù)領(lǐng)域并提供了一種用作空穴傳輸材料和電子阻擋材料的化合物,所述化合物具有[化學(xué)式1]所示的通式結(jié)構(gòu),在[化學(xué)式1]中,L1和L2分別獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的C6?C40亞芳基或取代或未取代的C4?C40亞雜芳基;Ar1和Ar2分別獨(dú)立地選自[化學(xué)式2]和[化學(xué)式3]表示的基團(tuán),且Ar1和Ar2彼此不相同。本發(fā)明的化合物包含咔唑和二芳胺結(jié)構(gòu),具有良好的空穴傳輸能力,并且二苯并噻吩或二苯并呋喃基團(tuán)的加入可以有效地調(diào)節(jié)分子的HOMO能級(jí),以便匹配其他發(fā)光功能層的材料。本發(fā)明還提供一種顯示面板和顯示裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于OLED技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種主要用作空穴傳輸材料和電子阻擋材料的化合物、包括該化合物的顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
手機(jī)消費(fèi)品等中小尺寸OLED屏幕很多采用R、G、B子像素顯示方式。為了提高生產(chǎn)良率,往往會(huì)將一些功能層設(shè)計(jì)為公共層,這樣就可以減少FMM(精細(xì)金屬掩膜)的使用,而空穴傳輸層經(jīng)常采用公共層,一般公共空穴傳輸層可以用市售材料。
現(xiàn)有的空穴傳輸材料技術(shù)存在幾個(gè)問題。一是材料溶解性不好,會(huì)導(dǎo)致量產(chǎn)時(shí)的蒸鍍掩膜清洗效果不好;二是材料的遷移率太慢,會(huì)導(dǎo)致器件的整體電壓太高;三是材料的遷移率過快,尤其是材料橫向遷移率過快,導(dǎo)致相鄰像素之間發(fā)生串?dāng)_;四是材料的LUMO能級(jí)太深,不能有效阻擋可能越過發(fā)光層的電子遷移;五是材料的三線態(tài)能級(jí)較低,不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)RGB三色中的空穴的有效傳輸,導(dǎo)致掩膜使用數(shù)量的增加以及工藝難度的提升。
因此,有必要設(shè)計(jì)和開發(fā)性能更好的空穴傳輸材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種化合物,所述化合物具有[化學(xué)式1]所示的通式結(jié)構(gòu):
其中,在[化學(xué)式1]中,L1和L2分別獨(dú)立地選自單鍵、取代或未取代的C6-C40亞芳基或取代或未取代的C4-C40亞雜芳基;
Ar1和Ar2分別獨(dú)立地選自[化學(xué)式2]和[化學(xué)式3]表示的基團(tuán),且Ar1和Ar2彼此不相同;
在[化學(xué)式2]中,R1和R2分別獨(dú)立地選自取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C12-C40稠芳基、取代或未取代的C4-C40雜芳基;
在[化學(xué)式3]中,Cy表示稠合的C6-C20芳香環(huán),X選自O(shè)原子或S原子;
雜芳基或亞雜芳基中的雜原子選自P、S、N、O、B、Si中的一種或多種;
*表示連接位置。
本發(fā)明提供的化合物含有稠環(huán)并氧雜芴/硫雜芴、咔唑基團(tuán)和二芳胺基團(tuán)的空穴傳輸材料。這種材料的化合物分子具有較淺的LUMO值和合適的HOMO值,可以有效地提升空穴的傳輸能力,有效阻擋電子的躍遷。本發(fā)明的化合物還具有較高的三線態(tài)能級(jí)ET,可以有效阻擋激子的傳輸,將激子限制在發(fā)光層中,提升空穴的傳輸。此外,本發(fā)明的化合物具有高的空穴遷移率,優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和薄膜穩(wěn)定性,有利于提升發(fā)光效率和器件壽命。
附圖說明
圖1示出本發(fā)明的一個(gè)示例性化合物HT001的化學(xué)結(jié)構(gòu);
圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
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C07D 雜環(huán)化合物
C07D405-00 雜環(huán)化合物,含有1個(gè)或多個(gè)以氧原子作為僅有的雜環(huán)原子的環(huán),且含有1個(gè)或多個(gè)以氮原子作為僅有的雜環(huán)原子的環(huán)
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C07D405-14 .含3個(gè)或更多個(gè)雜環(huán)
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C07D405-06 ..被僅含脂族碳原子的碳鏈連接的
C07D405-08 ..被含脂環(huán)的碳鏈連接的





