[發明專利]電極、電極的制作方法及其裝置在審
| 申請號: | 202010130421.1 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN113325965A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 徐維佑;黃薇臻;張良亦;陳漢威 | 申請(專利權)人: | 宸美(廈門)光電有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361009 福建省廈門市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 制作方法 及其 裝置 | ||
一種電極及其制作方法,電極包含導電納米結構及一外加于所述導電納米結構的膜層,所述導電納米結構與所述膜層的界面實質具有披覆結構。
技術領域
本發明涉及電極、電極的制作方法及其裝置。
背景技術
近年來,透明導體可同時讓光穿過并提供適當的導電性,因而常應用于許多顯示或觸控相關的裝置中。一般而言,透明導體可以是各種金屬氧化物,例如氧化銦錫(IndiumTin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide,CTO)或摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide,AZO)。然而,這些金屬氧化物薄膜并不能滿足顯示設備的可撓性需求。因此,現今發展出了多種可撓性的透明導體,例如利用納米等級的材料所制作的透明導體。
然而,所述的納米等級的材料的制程技術尚有許多需要解決的問題,例如傳統上是利用減法制程,例如利用蝕刻等步驟移除不需要的材料達成圖案化,諸如此類的制程會造成材料的浪費及制程上的復雜性。又例如利用納米線制作觸控電極,納米線與周邊區的引線須進行搭接,所述搭接區域造成周邊區的尺寸無法縮減,進而導致周邊區的寬度較大,無法滿足顯示器的窄邊框需求。
發明內容
本發明的部分實施方式中,形成披覆結構于導電納米結構(如金屬納米線)的特定表面,兩者形成并聯特性,以達到提升電特性的目的,以滿足低電阻與可撓性的應用。
本發明的部分實施方式中,形成披覆結構于導電納米結構(如金屬納米線)上是一種直接成型的加法制程,制程較為簡單且可降低材料成本。
本發明的部分實施方式中,透過設計周邊引線直接由改質后的導電納米結構(如金屬納米線)成型,藉以達到不需搭接的結構,以形成寬度較小的周邊區,進而滿足窄邊框的需求。
根據本發明的部分實施方式,一種電極,其特征在于,包含:導電納米結構及一外加于所述導電納米結構的膜層,所述導電納米結構與所述膜層的界面實質具有披覆結構。
于本發明的部分實施方式中,披覆結構包括鍍層,所述鍍層完全包覆導電納米結構與膜層的界面。披覆結構包括化學鍍層、電鍍層或其組合。
于本發明的部分實施方式中,膜層具有一未完全固化狀態,該披覆結構系沿著所述導電納米結構的表面所形成并位于所述導電納米結構與所述膜層的界面。
于本發明的部分實施方式中,膜層具有一第一層區域與一第二層區域,該第二層區域的固化狀態高于該第一層區域的固化狀態;在第一層區域中,披覆結構系沿著所述導電納米結構的表面所形成并位于所述導電納米結構與所述膜層的界面。在第二層區域中,至少部分的導電納米結構的表面具有披覆結構,或者導電納米結構的表面具有披覆結構均無披覆結構。兩層區域相比,固化程度較小的區域,較大比例的導電納米結構的表面被披覆結構所覆蓋。
于本發明的部分實施方式中,相鄰的所述導電納米結構之間填充有該膜層,該膜層中沒有單獨存在的所述披覆結構。
于本發明的部分實施方式中,導電納米結構包含金屬納米線,該披覆結構完全包覆所述金屬納米線與所述膜層的界面,并在所述界面形成均勻的披覆層。所述均勻的披覆層可為厚度均勻的披覆層。
于本發明的部分實施方式中,披覆結構為導電材料所制成的層狀結構、島狀突起結構、點狀突起結構或其組合。
于本發明的部分實施方式中,導電材料為銀、金、鉑、銥、銠、鈀、鋨或包含前述材料的合金。
于本發明的部分實施方式中,披覆結構為單一金屬材料或合金材料所制成的單層結構;或者該披覆結構為兩種以上的金屬材料或合金材料所制成的兩層或多層結構。
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