[發(fā)明專利]基于LSM的數(shù)據(jù)存儲方法、裝置、存儲介質(zhì)及計算機設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010130339.9 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN111352908B | 公開(公告)日: | 2023-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱博帥 | 申請(專利權(quán))人: | 北京奇藝世紀科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F16/17 | 分類號: | G06F16/17;G06F16/172;G06F16/13 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 張麗穎;劉蔓莉 |
| 地址: | 100080 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 lsm 數(shù)據(jù) 存儲 方法 裝置 介質(zhì) 計算機 設(shè)備 | ||
1.一種基于LSM的數(shù)據(jù)存儲方法,其特征在于,所述方法包括:
將LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設(shè)置為兩層文件層級結(jié)構(gòu)以用于將磁盤中的文件標記為第一層文件或第二層文件;
監(jiān)測系統(tǒng)讀寫壓力;
分別獲取內(nèi)存、磁盤的數(shù)據(jù)存儲狀態(tài);
根據(jù)所述系統(tǒng)讀寫壓力和所述內(nèi)存、磁盤的數(shù)據(jù)存儲狀態(tài),將內(nèi)存memtable中的待寫入Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由memtable寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件,或,對內(nèi)存的memtable中、磁盤的第一層文件中、磁盤的第二層文件中鍵相同的Key-Value數(shù)據(jù)進行合并操作,將合并后的Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件或第二層文件,或,將磁盤的第一層文件標記為第二層文件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:設(shè)置內(nèi)存中memtable個數(shù)、每個memtable的鍵范圍,其中,每個memtable的鍵范圍不重疊,每個memtable包含的鍵的初始個數(shù)為對應(yīng)的memtable的鍵范圍內(nèi)包含的不同鍵的個數(shù),每個memtable包含的鍵的初始個數(shù)相同;
所述根據(jù)系統(tǒng)讀寫壓力和內(nèi)存、磁盤的數(shù)據(jù)存儲狀態(tài),將內(nèi)存的memtable中的待寫入Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由memtable寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件,包括:
當(dāng)內(nèi)存與磁盤之間、磁盤內(nèi)部之間沒有可合并的Key-Value數(shù)據(jù)或系統(tǒng)讀寫壓力大于等于壓力閾值時,將內(nèi)存memtable中的待寫入Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)生成的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由memtable寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述對內(nèi)存的memtable中、磁盤的第一層文件中、磁盤的第二層文件中鍵相同的Key-Value數(shù)據(jù)進行合并操作,將合并后的Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件或第二層文件,包括:
當(dāng)系統(tǒng)讀寫壓力小于壓力閾值且內(nèi)存與磁盤之間或磁盤內(nèi)部之間有可合并的Key-Value數(shù)據(jù)時,則將磁盤中鍵范圍相同的文件所對應(yīng)的Key-Value數(shù)據(jù)讀到內(nèi)存中,刪除磁盤中已讀出的文件,將讀到內(nèi)存中的鍵相同的Key-Value數(shù)據(jù)進行合并得到合并后的Key-Value數(shù)據(jù),或,將讀到內(nèi)存中的鍵相同的Key-Value數(shù)據(jù)、內(nèi)存的memtable中鍵相同的Key-Value數(shù)據(jù)進行合并得到合并后的Key-Value數(shù)據(jù),將合并后的Key-Value數(shù)據(jù)寫入到磁盤對應(yīng)生成的文件中,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由第一層文件與第二層文件合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件或由內(nèi)存、第一層文件、第二層文件合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件或由內(nèi)存、第二層文件合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第二層文件,控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤中由內(nèi)存、第一層文件合并后寫入到磁盤的Key-Value數(shù)據(jù)所在的文件標記為第一層文件;
所述將磁盤的第一層文件標記為第二層文件,包括:
當(dāng)內(nèi)存memtable中沒有待寫入Key-Value數(shù)據(jù)、第二層文件的Key-Value數(shù)據(jù)與第一層文件的Key-Value數(shù)據(jù)鍵均不同,則控制LSM數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)將磁盤的第一層文件標記為第二層文件;
其中,磁盤中鍵范圍相同的文件為第一層文件和/或第二層文件,第二層文件的鍵范圍與對應(yīng)的memtable的鍵范圍相同。
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