[發明專利]一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法在審
| 申請號： | 202010130123.2 | 申請日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN111321394A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | 陳道理;楊緒勇;委福祥 | 申請（專利權）人： | 盱眙新遠光學科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C18/12 | 分類號： | C23C18/12;C23C14/24;C23C14/06;C25B11/06;C25B1/04;C01G51/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 211700 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 沉積 制備 納米 片狀 磷化 方法 | ||
1.一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟(1).將鈷源與2-甲基咪唑按照摩爾比1:8稱量，將鈷源與溶劑按1摩爾鈷對應20毫升溶劑進行配比形成溶液A；
將稱量好的2-甲基咪唑溶于同樣體積的溶劑中形成溶液B；
將B倒入A中，攪拌后形成均一溶液，在室溫下靜置12-24h；
步驟(2).離心清洗后，真空干燥不少于12h，即獲得前驅體；通過液相沉積在室溫下靜置制備出了片狀前驅體納米陣列，其結構穩定，排列有序，有利于后續合成加工；
步驟(3).將上述前驅體同磷源按照摩爾比1:5稱量一起置于通保護氣的管式爐中，磷源置于管式爐上游，前驅體置于下游；
步驟(4).設置升溫曲線，使管式爐在氣氛保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，再在300℃～500℃下反應2～5h，蒸發的磷元素在前驅體表面發生氣相沉積反應，片狀前驅體轉化為片狀的磷化鈷，冷卻至室溫即得納米片狀磷化鈷。
2.根據權利要求1所述的一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：所述步驟(1)中鈷源為鈷的硝酸鹽、氯化鹽、乙酸鹽中至少一種。
3.根據權利要求1所述的一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：所述步驟(1)中溶劑為去離子水，甲醇中至少一種。
4.根據權利要求1所述的一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：所述步驟(3)中磷源為磷單質。
5.根據權利要求1所述的一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：所述步驟(4)中保護氣體為氬氣，氮氣中至少一種。
6.根據權利要求1所述的一種氣相沉積制備納米片狀磷化鈷的方法，其特征在于：所述步驟(4)中升溫速度為(3-6)℃/分鐘。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法，例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法，例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍，即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理
