[發明專利]諧振腔增強型光探測器及其制造方法

在審

• 申請號: 202010130019.3
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN111312845A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 王保勇;范鑫燁;張魯健
• 申請（專利權）人: 太平洋（聊城）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/0232;H01L31/0304;H01L31/18
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李曉鋒

1.一種諧振腔增強型光探測器，其特征在于，包括襯底、底部DBR和GaAs光柵層，其中，所述底部DBR設置在所述襯底上并且包括層疊設置的第一分布布拉格反射鏡，所述GaAs光柵層設置在所述底部DBR上。

2.根據權利要求1所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，所述底部DBR包括至少20個所述第一分布布拉格反射鏡，每個所述第一分布布拉格反射鏡包括第一AlGaAs層和位于所述第一AlGaAs層上的第二AlGaAs層，其中，所述第一AlGaAs層中Al的濃度小于所述第二AlGaAs層中Al的濃度，所述第一AlGaAs層中Ga的濃度大于所述第二AlGaAs層中Ga的濃度。

3.根據權利要求1所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，還包括：

第一漸變層，所述第一漸變層設置在所述GaAs光柵層的上方，

其中，所述第一漸變層包括第三AlGaAs層和位于所述第三AlGaAs層上的第四AlGaAs層，其中，所述第三AlGaAs層中Al的濃度大于所述第四AlGaAs層中Al的濃度，所述第三AlGaAs層中Ga的濃度小于所述第四AlGaAs層中Ga的濃度。

4.根據權利要求3所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，還包括：

第二漸變層，所述第二漸變層設置在所述第一漸變層上方，

其中，所述第二漸變層包括GaAs層和位于所述GaAs層上的AlGaAs層。

5.根據權利要求4所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，還包括：

頂部DBR，所述頂部DBR位于所述第二漸變層的上方，并且包括層疊設置的第二分布布拉格反射鏡。

6.根據權利要求5所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，所述頂部DBR包括至少7個所述第二分布布拉格反射鏡，每個所述第二分布布拉格反射鏡包括SiO₂層和位于所述SiO₂層上的Si₃N₄層。

7.根據權利要求5所述的諧振腔增強型光探測器，其特征在于，還包括：

n-GaAs保護層，所述n-GaAs保護層設置在所述GaAs光柵層和所述第一漸變層之間；

吸收層，所述吸收層設置在所述第一漸變層和所述第二漸變層之間；

p-GaAs保護層，所述p-GaAs保護層設置在所述第二漸變層和所述頂部DBR之間。

8.一種制造諧振腔增強型光探測器的方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成底部DBR，所述底部DBR包括層疊設置的第一分布布拉格反射鏡；

在所述底部DBR上形成GaAs光柵層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述GaAs光柵層上形成n-GaAs保護層；

在所述n-GaAs保護層上形成第一漸變層；

在所述第一漸變層上形成吸收層；

在所述吸收層上形成第二漸變層；

在所述第二漸變層上形成p-GaAs保護層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述p-GaAs保護層上形成頂部DBR，所述頂部DBR包括層疊設置的第二分布布拉格反射鏡。