[發明專利]一種平整度檢測方法、裝置、找平系統及存儲介質有效
| 申請號: | 202010129532.0 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN113324497B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發明(設計)人: | 薛潔;胡曉棟 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G01B11/30 | 分類號: | G01B11/30 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 王立娜;湯陳龍 |
| 地址: | 300380 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平整 檢測 方法 裝置 找平 系統 存儲 介質 | ||
1.一種平整度檢測方法,其特征在于,包括:
確定已有采樣點的數量小于目標數量的第一曝光區域;
從所述第一曝光區域的相鄰曝光區域中確定第二曝光區域;所述第一曝光區域與所述第二曝光區域的采樣點數量的和,不小于所述目標數量;
從所述第二曝光區域的采樣點中,確定為所述第一曝光區域補充的補充采樣點;所述補充采樣點的數量與所述已有采樣點的數量的和,等同于所述目標數量;
根據所述已有采樣點和所述補充采樣點,檢測所述第一曝光區域的平整度。
2.根據權利要求1所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述從所述第二曝光區域的采樣點中,確定為所述第一曝光區域補充的補充采樣點,包括:
若所述已有采樣點的數量與所述第二曝光區域的采樣點數量的和,大于所述目標數量,獲取所述第二曝光區域中各采樣點的位置;
根據所述第二曝光區域中各采樣點的位置,與所述已有采樣點的位置,從所述第二曝光區域的采樣點中確定所述補充采樣點。
3.根據權利要求2所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述根據所述第二曝光區域中各采樣點的位置,與所述已有采樣點的位置,從所述第二曝光區域確定所述補充采樣點包括:
分別計算所述第二曝光區域中各采樣點與所述已有采樣點的位置距離;
從所述第二曝光區域的采樣點中,確定所述位置距離最小的前k個補充采樣點;k為所述已有采樣點的數量與所述目標數量的差值。
4.根據權利要求3所述的平整度檢測方法,其特征在于,若所述已有采樣點的數量大于1,所述分別計算所述第二曝光區域中各采樣點與所述已有采樣點的位置距離包括:
針對所述第二曝光區域中的任一采樣點,分別計算所述采樣點與各所述已有采樣點的位置距離,根據所述采樣點與各所述已有采樣點的位置距離的集合結果,確定所述采樣點對應的位置距離;
所述從所述第二曝光區域的采樣點中,確定所述位置距離最小的前k個補充采樣點包括:
從所述第二曝光區域的采樣點中,確定采樣點對應的位置距離最小的前k個補充采樣點。
5.根據權利要求1所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述從所述第二曝光區域的采樣點中,確定為所述第一曝光區域補充的補充采樣點,包括:
若所述已有采樣點的數量與所述第二曝光區域的采樣點數量的和,等于所述目標數量,將所述第二曝光區域中的各采樣點均確定為所述補充采樣點。
6.根據權利要求1-5任一項所述的平整度檢測方法,其特征在于,若所述第二曝光區域的數量為多個,所述根據所述已有采樣點和所述補充采樣點,檢測所述第一曝光區域的平整度包括:
將各個第二曝光區域的補充采樣點分別與所述已有采樣點相集合,得到多個采樣點集合;
根據所述多個采樣點集合中的采樣點高度,檢測所述第一曝光區域的平整度。
7.根據權利要求6所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述根據所述多個采樣點集合中的采樣點高度,檢測所述目標區域的平整度包括:
分別根據各個采樣點集合中的采樣點高度,確定各個采樣點集合對應的基準平面;
根據各個采樣點集合對應的基準平面,確定所述第一曝光區域的平整度。
8.根據權利要求7所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述根據各個采樣點集合對應的基準平面,確定所述第一曝光區域的平整度包括:
確定各個采樣點集合對應的基準平面的平整度;
將所確定的平整度中絕對值最大的平整度,作為所述第一曝光區域的平整度。
9.根據權利要求1所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述相鄰曝光區域為與所述第一曝光區域至少存在鄰接點的曝光區域。
10.根據權利要求1所述的平整度檢測方法,其特征在于,所述目標數量大于或等于3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010129532.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:空調器室內機的導風裝置和空調器室內機
- 下一篇:半導體結構及其形成方法





