[發(fā)明專(zhuān)利]一種碲化鎘晶體的低溫液相制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010129310.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111204718A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳道理;楊緒勇;委福祥 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 盱眙新遠(yuǎn)光學(xué)科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B19/04 | 分類(lèi)號(hào): | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 211700 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碲化鎘 晶體 低溫 制備 方法 | ||
1.一種碲化鎘晶體的低溫液相制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟(1).將高純碲及高純鎘按照質(zhì)量配比4∶6的比例混合,加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為高純碲及高純鎘總量1-5%的納米碲化鎘;
步驟(2).將上述原料進(jìn)行球磨混料,使高純碲、高純鎘及納米碲化鎘均勻混合;
步驟(3).將上述混合均勻的原料裝入高溫爐,設(shè)置升溫曲線(xiàn),使高溫爐在氮?dú)獗Wo(hù)條件下按照升溫曲線(xiàn)進(jìn)行升溫過(guò)程,以使所述高純碲及高純鎘化學(xué)液相反應(yīng),形成晶體;
步驟(4).將高溫爐冷卻至室溫,打開(kāi)后取出碲化鎘晶體;將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑,采用真空鋁塑紙按片分裝,并用真空封裝機(jī)封口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘晶體的低溫液相制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中高純碲及高純鎘粒度為100-150微米,納米碲化鎘粒徑控制在60-150納米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘晶體的低溫液相制備方法,其特征在于:所述步驟(3)中升溫曲線(xiàn)的最高溫度不超過(guò)700℃;且在最高溫度條件下的保溫時(shí)間不超過(guò)6小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘晶體的低溫液相制備方法,其特征在于:所述步驟(3)中升溫過(guò)程為1小時(shí)內(nèi)從室溫升至300℃,保溫30min;之后,1小時(shí)內(nèi)升至550~600℃,保溫2h;然后,1小時(shí)內(nèi)升至700℃,保溫時(shí)間不超過(guò)6h。
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