[發明專利]一種原位常溫制備垂直陣列結構二硫化錫的方法有效
| 申請號： | 202010129129.8 | 申請日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN111268722B | 公開（公告）日： | 2023-05-26 |
| 發明（設計）人： | 尹奎波;辛磊;鄭安琪;熊雨薇;文一峰;朱明蕓;李京倉;董麟;孫立濤 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 藍霞 |
| 地址： | 210018 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原位 常溫 制備 垂直 陣列 結構 硫化 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種原位常溫制備垂直陣列結構二硫化錫的方法，其特征在于，包括以下步驟：將普通層狀二硫化錫經過超聲分散至半碳膜上，并在透射電鏡中用剮蹭鋰金屬的鎢針尖去觸碰二硫化錫并施加電壓；會聚電子束對樣品進行輻照得到垂直陣列結構的二硫化錫；
所述超聲分散時間為10-30分鐘；
所述電壓為(-0.1～-5)V；
所述輻照時的電子束束流密度范圍為1.0×104A/m2-1.0×106A/m2；
所述輻照時間為1-20分鐘。
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