[發明專利]一種超厚轉接板的制作方法

有效

• 申請號: 202010128859.6
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN111403332B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 郁發新;馮光建;王永河;馬飛;程明芳
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

本發明公開了一種超厚轉接板的制作方法，包括以下步驟：A，在雙層SOI硅片轉接板表面制作TSV，對TSV進行金屬填充，減薄轉接板背面，在轉接板背面制作凹槽；B，在凹槽內電鍍金屬，對腔體進行膠體填充，在轉接板背面制作RDL和焊盤；C，對轉接板TSV面做空腔刻蝕，腐蝕掉空腔內TSV；D，在空腔內電鍍金屬，對腔體進行膠體填充，在轉接板TSV面制作RDL和焊盤；E，切割轉接板成單一芯片，得到具有上下互聯結構的轉接板。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種超厚轉接板的制作方法。

背景技術

微波毫米波射頻集成電路技術是現代國防武器裝備和互聯網產業的基礎，隨著智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互聯網+”經濟的快速興起，承擔數據接入和傳輸功能的微波毫米波射頻集成電路也存在巨大現實需求及潛在市場。

在后摩爾定律的時代背景下，通過傳統的縮小晶體管尺寸的方式來提高集成度變得更加困難。現在的電子系統正朝著小型化、多樣化、智能化的方向發展，并最終形成具有感知、通信、處理、傳輸等融合多功能于一體的高集成度低成本綜合電子系統。多功能綜合電子系統的核心技術是集成，正在由平面集成向三維集成、由芯片級向集成度和復雜度更高的系統級集成發展。三維集成系統級封裝能夠解決同樣面積內集成更多的晶體管的問題，是未來的發展方向。

通過轉接板做載板或者蓋板來做系統級封裝的結構既能在架構上將芯片由平面布局改為堆疊式布局，又能集成無源器件或分立元件等系統構建，使得精度、密度增加，性能大大提高，代表著未來射頻集成電路技術的發展趨勢，在多方面存在極大的優勢特性：

a)三維異構集成系統級封裝采用一個芯片殼體來完成一個系統的全部互連，使總的焊點大為減少，也縮短了元件的連線路程，從而使電性能得以提高。

b)三維異構集成系統級封裝在同一轉接板芯片中疊加兩個或更多的芯片，把Z方向的空間也利用起來，又不必增加封裝引腳，兩芯片疊裝在同一殼內與芯片面積比均大于100％，三芯片疊裝可增至250％。

c)物理尺寸小，重量輕。例如，最先進的技術可實現4層堆疊芯片只有1mm厚的超薄厚度，三疊層芯片的重量減輕35％。

不同工藝(如MEMS工藝、SiGe?HBT、SiGe?BiCMOS、Si?CMOS、III-V(InP、GaN、GaAs)MMIC工藝等)，不同材料(如Si、GaAs、InP)制作的不同功能的芯片(如射頻、生物、微機電和光電芯片等)組裝形成一個系統，有很好的兼容性，并可與集成無源元件結合。有數據顯示，無線電和便攜式電子整機中現用的無源元件至少可被嵌入30-50％。

但是在實際應用當中，轉接板的應用并沒有大量普及，主要是因為制作轉接板的流程過于復雜，轉接板厚度往往不超過200um，因此制作過程中必須用到臨時鍵合的工藝，投入成本和制作成本都較高，限制了轉接板在民用領域的發展。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種超厚轉接板的制作方法。

為解決上述技術問題，本發明采用如下的技術方案：

本發明實施例的一方面用于提供一種超厚轉接板的制作方法，包括以下步驟：

A，在雙層SOI硅片轉接板表面制作TSV，對TSV進行金屬填充，減薄轉接板背面，在轉接板背面制作凹槽；

B，在凹槽內電鍍金屬，對腔體進行膠體填充，在轉接板背面制作RDL和焊盤；

C，對轉接板TSV面做空腔刻蝕，腐蝕掉空腔內TSV；

D，在空腔內電鍍金屬，對腔體進行膠體填充，在轉接板TSV面制作RDL和焊盤；。

E，切割轉接板成單一芯片，得到具有上下互聯結構的轉接板。

優選地，所述步驟A具體包括：