[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備及其電極裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010128145.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111334782B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐龍江;王建龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/458 | 分類號(hào): | C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體設(shè)備 及其 電極 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的電極裝置,設(shè)置于工藝腔室內(nèi),其特征在于,包括:載臺(tái)、叉指結(jié)構(gòu)及指套;
所述載臺(tái)用于承載晶圓,且所述載臺(tái)上開設(shè)有多個(gè)容置槽;
所述叉指結(jié)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)盤及與所述旋轉(zhuǎn)盤連接的多組叉指,任意一組所述叉指配合承載晶圓;每組所述叉指包括兩個(gè)叉指,多個(gè)所述叉指沿周向排布于所述旋轉(zhuǎn)盤的外周上,且所述叉指沿所述旋轉(zhuǎn)盤的徑向延伸設(shè)置;
一個(gè)所述指套包裹一個(gè)所述叉指,且所述指套為導(dǎo)體,所述叉指為絕緣體;
所述旋轉(zhuǎn)盤受驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)以及或者升降,以此驅(qū)動(dòng)各所述叉指容置于各所述容置槽內(nèi),并且?guī)?dòng)所述晶圓移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述電極裝置,其特征在于,所述指套與所述容置槽之間設(shè)置有導(dǎo)電的柔性墊,所述柔性墊設(shè)置于所述叉指底部,或者設(shè)置于所述容置槽的底部。
3.如權(quán)利要求2所述的電極裝置,其特征在于,所述柔性墊為螺線管狀的金屬軟管,或者所述柔性墊為金屬網(wǎng)狀的彈性結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的電極裝置,其特征在于,所述容置槽的內(nèi)表面還設(shè)置有導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求4所述的電極裝置,其特征在于,導(dǎo)電層為設(shè)置于容置槽內(nèi)的鍍鎳層或者氧化導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的電極裝置,其特征在于,所述指套的側(cè)壁厚度為0.5毫米至2毫米。
7.如權(quán)利要求1所述的電極裝置,其特征在于,當(dāng)各所述叉指位于各所述容置槽內(nèi)時(shí),所述指套的上表面與所述載臺(tái)的頂面平齊,或者所述指套的上表面低于所述載臺(tái)的頂面,并且所述上表面距離載臺(tái)的頂面之間具有第一間距。
8.如權(quán)利要求7所述的電極裝置,其特征在于,所述第一間距的尺寸小于0.05毫米,或者第一間距的尺寸小于所述晶圓厚度尺寸的十分之一。
9.如權(quán)利要求1所述的電極裝置,其特征在于,所述指套的側(cè)面與所述容置槽側(cè)壁之間具有第二間距,且所述第二間距的尺寸為0.1毫米至0.2毫米之間。
10.一種半導(dǎo)體設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至9的任一所述的半導(dǎo)體設(shè)備的電極裝置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010128145.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 用于檢測半導(dǎo)體設(shè)備的裝置
- 監(jiān)測半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備可靠性的方法及其裝置
- 半導(dǎo)體晶體移除設(shè)備和半導(dǎo)體晶體的產(chǎn)生方法
- 具有機(jī)械熔絲的半導(dǎo)體封裝
- 監(jiān)控退火設(shè)備出現(xiàn)小顆粒尺寸缺陷的方法
- 多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸的先進(jìn)控制方法
- 具有磁耦合設(shè)備的半導(dǎo)體開關(guān)
- 半導(dǎo)體工藝及半導(dǎo)體設(shè)備
- 半導(dǎo)體設(shè)備封裝及其制造方法
- 半導(dǎo)體微波設(shè)備的控制方法和半導(dǎo)體微波設(shè)備





