[發明專利]提高前照式圖像傳感器性能的方法及前照式圖像傳感器在審
| 申請號： | 202010128104.6 | 申請日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN113327950A | 公開（公告）日： | 2021-08-31 |
| 發明（設計）人： | 鄭展;徐濤 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
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| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 前照式 圖像傳感器 性能 方法 | ||
1.一種提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，
在前照式圖像傳感器的光路結構中，形成至少有接觸孔層金屬的環形光學通路。
2.根據權利要求1所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，所述光路結構依次由若干金屬層、接觸孔層、多晶硅層限定。
3.根據權利要求2所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，于光路結構的多晶硅層、相鄰的接觸孔層中形成光阻擋或光反射結構。
4.根據權利要求2所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，于若干金屬層、接觸孔層、多晶硅層之間均形成光阻擋或光反射結構，實現環形的光學通路。
5.根據權利要求3或4中所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，所述光阻擋或光反射結構的材質為：鋁，銅，鈦，氮化鈦，鎢，多晶硅，鉭，氮化鉭中的任意一種或合金。
6.根據權利要求1所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，所述光路結構的頂部開孔尺寸大于等于0.4微米。
7.根據權利要求1所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，所述光路結構區域頂部的周圍形成遮光層或吸光層。
8.根據權利要求1至7中任意一項所述的提高前照式圖像傳感器性能的方法，其特征在于，所述方法應用于光學指紋識別傳感器或TOF圖像傳感器或其它基于反射光信息的光學傳感器。
9.一種前照式圖像傳感器，其特征在于，所述前照式圖像傳感器包括：
光路結構區域；
所述光路結構通過若干金屬層、接觸孔層、多晶硅層限定；
所述若干金屬層、接觸孔層、多晶硅層中的至少一層之間設置光阻擋或光反射結構，形成至少有接觸孔層金屬的環形光學通路。
10.根據權利要求9所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光阻擋或光反射結構的材質為：鋁，銅，鈦，氮化鈦，鎢，多晶硅，鉭，氮化鉭中任意一種或合金。
11.根據權利要求9所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光路結構的頂部開孔尺寸大于等于0.4微米。
12.根據權利要求9至11中任意一項所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，其應用于光學指紋識別傳感器或TOF圖像傳感器或其它基于光反射信息的光學傳感器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
