[發明專利]一種顯示面板、其制備方法以及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010127407.6 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN111293160B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 徐乾坤;張曉星 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 制備 方法 以及 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示面板、其制備方法以及顯示裝置。所述顯示面板包括襯底層、位于所述襯底層上的薄膜晶體管層、位于所述薄膜晶體管層上且陣列分布的平坦化區塊、位于所述平坦化區塊的間隙內的像素定義層。由于相鄰的平坦化區塊之間具有一定的間隙,從而使得平坦化區塊可達到較高的平坦度。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板、其制備方法以及顯示裝置。
背景技術
現有技術的顯示面板,采用噴墨打印的技術形成像素電極,其中,噴墨打印的墨水打印到像素區是流動的,為獲得均勻良好的鋪展性,重要的影響因素之一是像素區基底的平坦度,即最大段差越小越好。然而,薄膜晶體管制作完成后形成高低不一的非均一表面,目前使用平坦化層來填平薄膜晶體管的非均一表面。若是平坦化層還不能達到顯示面板對平坦能力的要求,往往會形成墨水烘干后膜厚不均的情況,將對整個器件的發光效果產生影響。
現有技術通過增加平坦化層的膜厚來加強其平坦能力,但是當底部落差達到一定程度時,平坦化層增加至很厚也未能達到要求;其次過厚的平坦化層物料消耗高、成膜后有脫膜風險,對平坦化層的后續開孔工藝增加困難,過深的開孔也會對其后成膜沉積造成爬坡斷線等風險。故,有必要改善這一缺陷。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板,用于解決現有技術的顯示面板,采用噴墨打印技術形成像素電極,由于薄膜晶體管制作完成后形成高低不一的非平坦表面,導致最大段差過大,若通過增加平坦化層的膜厚來加強其平坦能力,會導致平坦化層物料消耗高、成膜后有脫膜風險,對平坦化層的后續開孔工藝增加困難,過深的開孔也會對在其后成膜的膜層沉積造成爬坡斷線等風險的技術問題。
本發明實施例提供一種顯示面板,包括襯底層、位于所述襯底層上的薄膜晶體管層、位于所述薄膜晶體管層上且陣列分布的平坦化區塊、位于所述平坦化區塊的間隙內的像素定義層、位于所述平坦化區塊上的像素電極層、位于所述像素電極層上的有機發光層、以及位于所述像素定義層和所述有機發光層上的公共電極層。
進一步的,所述平坦化區塊的材料為有機感光材料。
進一步的,所述平坦化區塊的高度范圍為大于0且小于或者等于3微米。
進一步的,所述像素定義層的高度大于所述平坦化區塊的高度。
本發明實施例提供一種顯示面板的制備方法,包括步驟:提供一襯底層;在所述襯底層上制備薄膜晶體管層;在所述薄膜晶體管層上整面涂布平坦化材料;將所述平坦化材料圖案化,形成陣列分布的平坦化區塊;在所述平坦化區塊的間隙內制備像素定義層;在所述平坦化區塊上制備像素電極層;在所述像素電極層上制備有機發光層;在所述像素定義層和所述有機發光層上制備公共電極層。
進一步的,所述將所述平坦化材料圖案化,形成陣列分布的平坦化區塊的步驟具體包括:在所述平坦化材料上涂布一層光阻進行曝光、顯影,蝕刻形成圖案化的平坦化區塊;將所述圖案化的平坦化區塊進行烘烤、流平、固化,形成陣列分布的平坦化區塊。
進一步的,所述平坦化材料為有機感光材料。
進一步的,所述平坦化區塊的高度范圍為大于0且小于或者等于3微米。
進一步的,所述像素定義層的高度大于所述平坦化區塊的高度。
本發明實施例提供一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。
有益效果:本發明實施例提供的一種顯示面板,通過將平坦化層設置為陣列分布的平坦化區塊,將平坦化區塊設置在需求較高平坦度的噴墨打印區,由于相鄰的平坦化區塊之間具有一定的間隙,從而使得平坦化區塊在烘烤、流平時的應力得以充分的釋放,提高其流平效率,可達到較高的平坦度。
附圖說明
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010127407.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





