[發明專利]一種懸空石墨烯結構的制備方法及由其得到的懸空石墨烯結構和應用

在審

• 申請號: 202010127240.3
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN111320164A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 宋學鋒;曾維軍;王堯
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: C01B32/194
• 分類號: C01B32/194
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;潘登

1.一種懸空石墨烯結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

(1)對待處理膜片進行圖案化處理，得到圖案化區域和其余區域；

其中，所述待處理膜片包括依次設置的犧牲層、石墨烯片層和電子束膠層；

所述圖案化處理包括將石墨烯片部分區域裸露；

(2)依次除去所述其余區域和犧牲層，然后將圖案化區域轉移至襯底上，得到所述懸空石墨烯結構。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述待處理膜片的制備方法包括如下步驟：

利用甩膠在基底上制備犧牲層，然后利用膠帶在犧牲層上設置單層石墨烯片，最后利用甩膠在石墨烯片層上設置電子膠束層，得到所述待處理膜片。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述犧牲層選自聚乙烯醇層；

優選地，所述電子膠束層選自聚甲基丙烯酸甲酯層。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的制備方法，其特征在于，所述進行圖案化處理的方式為電子束曝光。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的制備方法，其特征在于，所述圖案化區域與所述其余區域之間存在至少一個連接部連接；

優選地，所述連接部的寬度為1-2μm；

優選地，所述圖案化區域內還設置有開孔區；

優選地，所述開孔區的直徑為2-3μm。

6.根據權利要求1-5中的任一項所述的制備方法，其特征在于，所述除去犧牲層的方法為水浸法；

優選地，所述水浸法為將待處理膜片浸入水中，除去犧牲層；

優選地，所述水的溫度為50-100℃。

7.根據權利要求1-6中的任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述其余區域的除去方法為：在顯微鏡下，利用微針穿過開孔區，挑出圖案化區域，將所述其余區域除去。

8.根據權利要求1-7中的任一項所述的制備方法，其特征在于，所述襯底選自硅片。

9.根據權利要求1-8中的任一項所述的制備方法制備得到的懸空石墨烯結構。

10.根據權利要求9所述的懸空石墨烯結構在制備微機電系統中的應用。