[發(fā)明專(zhuān)利]一種指紋像素電路及電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010127051.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111275013B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳彩琴 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 維沃移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06V40/13 | 分類(lèi)號(hào): | G06V40/13;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;安利霞 |
| 地址: | 523860 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 指紋 像素 電路 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種指紋像素電路及電子設(shè)備,所述電路包括:第一薄膜晶體管N1,N1的源極與數(shù)據(jù)線連接;第二薄膜晶體管N2,N2的源極與所述數(shù)據(jù)線連接;與N2的漏極連接的第三薄膜晶體管N3;N1的柵極和N2的柵極均與第一掃描線連接,所述第一掃描線控制N1和N2的開(kāi)關(guān)狀態(tài);N3的柵極與第二掃描線連接,所述第二掃描線控制N3的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。本發(fā)明的實(shí)施例,增加TFT器件管N2和N3,并通過(guò)上一級(jí)掃描線和本級(jí)掃描線時(shí)序控制TFT器件開(kāi)啟,使得指紋接觸時(shí),通過(guò)N2斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的漏電流,偵測(cè)數(shù)據(jù)線上因存儲(chǔ)電容產(chǎn)生的電壓電流波動(dòng),來(lái)定位指紋的紋路位置,且不影響正常顯示亮度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種指紋像素電路及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
屏下指紋識(shí)別技術(shù),是將識(shí)別模組放置在電子設(shè)備屏幕面板之下,在指紋識(shí)別時(shí)通過(guò)屏幕發(fā)射的光透過(guò)屏幕面板在手指指紋形成光膜,光線射入到指紋谷后在手指接觸的屏幕與空氣的界面發(fā)生全反射,指紋反射光線穿透屏幕返回識(shí)別傳感器的CCD(ChargeCouple?Device,電荷耦合器件);而射向指紋脊的光線不發(fā)生全反射,被脊與屏幕接觸而吸收或者漫反射到其他地方,這樣就在CCD上形成了指紋的圖像,最終用形成指紋圖像來(lái)進(jìn)行識(shí)別。
傳統(tǒng)的LCD(Liquid?Crystal?Display,液晶顯示)屏幕,因無(wú)法自發(fā)光,無(wú)法構(gòu)成光學(xué)指紋需求的必要條件,因此無(wú)法完成指紋識(shí)別,故而對(duì)于LCD的光學(xué)指紋識(shí)別產(chǎn)品遲遲無(wú)法量產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋像素電路及電子設(shè)備,以解決傳統(tǒng)的LCD屏幕無(wú)法自發(fā)光導(dǎo)致LCD光學(xué)指紋技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的問(wèn)題。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種指紋像素電路,包括:第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接;
第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接;
與所述第二薄膜晶體管的漏極連接的第三薄膜晶體管;
所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極均與第一掃描線連接,所述第一掃描線控制所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管(N2)的開(kāi)關(guān)狀態(tài);
所述第三薄膜晶體管的柵極與第二掃描線連接,所述第二掃描線控制所述第三薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
第二方面,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備,包括上述的指紋像素電路;
所述電子設(shè)備還包括液晶顯示屏幕,所述指紋像素電路嵌設(shè)在所述液晶顯示屏幕內(nèi)部。
這樣,本發(fā)明的上述方案,在現(xiàn)有LTPS(Low?Temperature?Poly-silicon,低溫多晶硅技術(shù))或a-Si(amorphous?silicon,非晶硅)技術(shù)工藝基礎(chǔ)上,增加TFT(Thin?FilmTransistor,薄膜晶體管),并通過(guò)上一級(jí)掃描線和本級(jí)掃描線時(shí)序控制TFT器件管開(kāi)啟,使得指紋接觸時(shí),通過(guò)第二薄膜晶體管斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的漏電流,偵測(cè)數(shù)據(jù)線上因存儲(chǔ)電容產(chǎn)生的電壓電流波動(dòng),來(lái)定位指紋的紋路位置,且不影響正常顯示亮度。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1表示本發(fā)明實(shí)施例的指紋像素電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖2表示本發(fā)明實(shí)施例的指紋像素時(shí)序示意圖;
圖3表示本發(fā)明實(shí)施例t1階段的TFT器件的開(kāi)關(guān)示意圖;
圖4表示本發(fā)明實(shí)施例t2階段的TFT器件的開(kāi)關(guān)示意圖;
圖5表示本發(fā)明實(shí)施例t3階段的TFT器件的開(kāi)關(guān)示意圖;
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