[發明專利]具有帶有負間距的引線的半導體封裝

在審

• 申請號: 202010126813.0
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN111640709A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: T·施特克;D·阿勒斯;S·馬海因爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/482
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種模制半導體封裝，包括：

模制化合物；

多個引線，所述多個引線中的每個引線具有嵌入所述模制化合物中的第一端和從所述模制化合物的側面突出的第二端；以及

半導體管芯，所述半導體管芯嵌入所述模制化合物中并在所述模制化合物內電連接到所述多個引線，

其中，所述多個引線中的每個引線的所述第二端具有底表面，所述底表面與所述模制化合物的底部主表面面向相同的方向，

其中，所述多個引線中的每個引線的所述底表面與所述模制化合物的所述底部主表面共面或設置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中，使得所述多個引線中沒有引線延伸至所述模制化合物的所述底部主表面下方。

2.根據權利要求1所述的模制半導體封裝，其中，所述多個引線中的每個引線的所述底表面垂直地從所述模制化合物的所述底部主表面偏移從0.01μm到0.16μm的范圍內的距離，使得所述多個引線中的每個引線的所述底表面設置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中。

3.根據權利要求1所述的模制半導體封裝，其中，所述多個引線中的每個引線在所述模制化合物外部在所述模制化合物的所述底部主表面的方向上向下彎折。

4.根據權利要求1所述的模制半導體封裝，其中，所述多個引線的第一子集的引線的所述第二端從所述模制化合物的第一側面突出，并且其中，所述多個引線的第二子集的引線的所述第二端從所述模制化合物的與所述第一側面相對的第二側面突出。

5.根據權利要求1所述的模制半導體封裝，其中，所述模制半導體封裝的主要熱路徑包括在所述模制化合物的與所述模制化合物的所述底部主表面相對的頂部主表面處的暴露的焊盤。

6.一種半導體組件，包括：

電路板；

模制半導體封裝，所述模制半導體封裝在所述電路板上并且包括：

模制化合物，所述模制化合物具有面向所述電路板的底部主表面和與所述底部主表面相對的頂部主表面；

多個引線，所述多個引線中的每個引線具有嵌入所述模制化合物中的第一端、和從所述模制化合物的側面突出并附接到所述電路板的第一主表面的第二端；以及

半導體管芯，所述半導體管芯嵌入所述模制化合物中并在所述模制化合物內電連接到所述多個引線，

其中，所述多個引線中的每個引線的所述第二端具有面向所述電路板的底表面，

其中，所述多個引線中的每個引線的所述底表面與所述模制化合物的所述底部主表面共面或設置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中，使得所述多個引線中沒有引線被定位成比所述模制化合物更接近所述電路板；

冷卻結構，所述冷卻結構設置于所述模制化合物的所述頂部主表面之上；以及

熱界面材料，所述熱界面材料填充所述模制化合物的所述頂部主表面和所述冷卻結構之間的間隙。

7.根據權利要求6所述的半導體組件，其中，所述多個引線中的每個引線的所述第二端通過焊料附接到所述電路板的所述第一主表面，并且其中，所述半導體組件的總高度公差包括所述模制化合物的所述頂部主表面和所述底部主表面之間的所述模制化合物的高度公差、所述焊料的高度公差、所述冷卻結構的高度公差以及所述熱界面材料的高度公差，但不包括所述多個引線的高度公差。

8.根據權利要求6所述的半導體組件，其中，所述模制化合物的所述底部主表面接觸所述電路板的所述第一主表面。

9.根據權利要求6所述的半導體組件，其中，所述多個引線中的每個引線的所述底表面垂直地從所述模制化合物的所述底部主表面偏移從0.01μm到0.16μm的范圍內的距離，使得所述多個引線中的每個引線的所述底表面設置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中。

10.根據權利要求6所述的半導體組件，其中，所述多個引線中的每個引線在所述模制化合物外部在所述電路板的方向上向下彎折。