[發明專利]用于驅動存儲器中的字線的方法和裝置

在審

• 申請號: 202010125793.5
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111863057A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: C·L·英戈爾斯;T·H·金
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及一種用于驅動存儲器裝置中的字線的方法和裝置。一種子字線電路，其具有相位驅動器電路，所述相位驅動器電路用于提供第一相位信號和第二相位信號。所述子字線電路包含子字線驅動器電路，所述子字線驅動器電路具有上拉電路，所述上拉電路被配置成接收所述第一相位信號和全局字線信號。所述上拉電路被進一步配置成當所述第一相位信號處于第一值時驅動局部字線跟隨所述全局字線信號并且當所述第一相位信號處于第二值時將所述局部字線與所述全局字線信號隔離。所述子字線電路還包含處理裝置，所述處理裝置在所述全局字線信號進入有效狀態之前將所述第一相位信號設置為第一值，并且僅在所述全局字線信號已經進入預充電狀態之后才將所述第一相位信號設置為所述第二值。

技術領域

本發明的實施例涉及用于字線電路的信號驅動器和驅動存儲器裝置中的字線的方法。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于存儲與如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置有關的信息。存儲器裝置通常以計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路和/或外部可移動裝置的形式提供。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性存儲器和非易失性存儲器。包含隨機存取存儲器(RAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等的易失性存儲器可能需要施加電源來維持其數據。相比而言，非易失性存儲器即使不使用外部電源也可以保留其存儲的數據。非易失性存儲器可用于各種技術中，包含閃存(例如，NAND和NOR)相變存儲器(PCM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)和磁性隨機存儲器(MRAM)等。改進存儲器裝置通常可以包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度或以其它方式降低操作等待時間、增加可靠性、增加數據保留、降低功耗或降低制造成本以及其它度量。

存儲器裝置在存儲器裝置的各種電路內采用各種信號。用于將信號施加到信號線上的信號驅動器常用于如集成電路等電子裝置中。一種此類信號驅動器可以用于向存儲器單元陣列中的字線施加電壓。字線可以從一組全局字線驅動器(在本文中也稱為“主字線驅動器”和“MWD”)延伸穿過存儲器單元陣列。全局字線驅動器可以響應于存儲器裝置接收到與所述字線相對應的行地址而選擇性地致動字線中的每條字線。然后，對應于接收到的行地址的行中的存儲器單元中的每個存儲器單元將所存儲的數據施加到相應的感測放大器。

延伸穿過陣列的字線中的每條字線可以相對較長，并且因此可能具有相當大的電容。此外，字線可以由可以具有相對較高的電阻的多晶硅制成。字線的相對較高的電容和相對較高的電阻的組合可以使全局字線驅動器難以快速切換字線上的信號電平，尤其是存儲器單元陣列的離全局字線驅動器較遠的部分中的信號電平。為了緩解這個問題，通常將存儲器單元陣列劃分為較小的存儲器單元陣列，并在這些較小的存儲器單元陣列中的至少一些存儲器單元陣列之間制造局部字線驅動器(本文中也稱為“子字線驅動器”和“SWD”)。局部字線驅動器接收的信號可以與用于控制全局字線驅動器驅動字線，使得所述字線可以將與全局字線驅動器施加到字線的電平相同的電平施加到字線的信號基本上相同。

使用局部字線驅動器可以提高字線的切換速度，并且現有技術的設計通常包含每個局部字線驅動器中的至少一個PMOS晶體管和至少一個NMOS晶體管。由于NMOS晶體管的閾值電壓而相比于僅NMOS局部字線驅動器使用較低的相電壓，PMOS晶體管的使用允許局部字線電壓與全局字線電壓相同。然而，雖然局部字線驅動器中使用的NMOS晶體管可以與存儲器單元的存取晶體管制造于同一p型襯底中，但是局部字線驅動器中使用的PMOS晶體管可能需要在p型襯底中制造n阱，從而為PMOS晶體管的制造提供n型材料。為局部字線驅動器中的每個局部字線驅動器形成n阱可能大大增加用于制造局部字線驅動器的半導體襯底的面積，從而潛在地增加成本或減小存儲器裝置的容量。