[發(fā)明專利]一種圖案化晶圓干燥方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010125632.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111312626B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧信甫;李志峰;王雪松;徐銘;陳佳煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 至微半導(dǎo)體(上海)有限公司;江蘇啟微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京沁優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11684 | 代理人: | 蔡巖巖 |
| 地址: | 200000 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖案 化晶圓 干燥 方法 | ||
1.一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于,提供一晶圓干燥裝置,所述晶圓干燥裝置包括干燥腔室、用于放置晶圓的晶圓容納室以及熱氮?dú)夤?yīng)器,所述干燥腔室被設(shè)置為用于保留熱氮?dú)猓龈稍锴皇野ǖ谝蝗肟诤偷谝怀隹谝约皬乃龅谝蝗肟谘由熘恋谝怀隹诘膬?nèi)壁結(jié)構(gòu),所述晶圓容納室設(shè)置于干燥腔室內(nèi)部,且包括若干與晶圓片相匹配的洗滌槽;所述干燥腔室還包括一用于向干燥腔室內(nèi)部通入異丙醇液體的第三入口以及用于排出異丙醇液體的第三出口,所述第三入口和第三出口均設(shè)置在干燥腔室內(nèi)遠(yuǎn)離第一入口的一側(cè);
晶圓干燥方法包括:
步驟S1、將待干燥晶圓片置入晶圓容納室內(nèi)并使每個(gè)晶圓片均置入對(duì)應(yīng)的洗滌槽內(nèi)且相互之間間隔以形成晶圓片間隙;
步驟S2、在第三出口關(guān)閉狀態(tài)下打開第三入口向干燥腔室內(nèi)部通入異丙醇液體直至晶圓容納室內(nèi)每個(gè)晶圓片均完全浸入在異丙醇液體中時(shí)關(guān)閉第三入口,持續(xù)1-3min使異丙醇分子與晶圓片上的水分子完全相容后打開第三出口使異丙醇液體完全排出后關(guān)閉第三出口;
步驟S3、將熱氮?dú)夤?yīng)器的輸出端口與第一入口密封連接以通過(guò)第一入口向干燥腔室內(nèi)部通入熱氮?dú)猓?/p>
步驟S4、熱氮?dú)庾缘谝蝗肟谘亟?jīng)過(guò)晶圓片的至少三條氣體流通路徑流動(dòng)至干燥腔室內(nèi)遠(yuǎn)離第一入口的一側(cè);
所述晶圓干燥方法還包括在晶圓容納室的底部設(shè)置一用于匯聚熱氮?dú)饬髦辆A片底部的頂片模塊并在洗滌槽之間開設(shè)有與晶圓容納室內(nèi)外側(cè)相連通的排氣縫,以及在第一入口處設(shè)置氣體噴流模組以使熱氮?dú)饩哂刑峁┳銐虻膭?dòng)能,所述頂片模塊與晶圓片之間留有第一間隔,所述氣體噴流模組包括若干可調(diào)節(jié)噴氣流量的噴嘴,熱氮?dú)庠跉怏w噴流模組、晶圓容納室和頂片模塊之間形成循環(huán)氣流場(chǎng)并經(jīng)由排氣縫以及晶圓容納室和頂片模塊之間的空隙排出晶圓容納室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于,所述頂片模塊上設(shè)置有若干與晶圓片相對(duì)應(yīng)的聚流槽,所述聚流槽用于匯聚熱氮?dú)庵辆A片底部邊緣處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于,所述氣體噴流模組向干燥腔室內(nèi)間歇性的噴射熱氮?dú)庖允顾肿雍彤惐挤肿赢a(chǎn)生間歇性震蕩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于,所述內(nèi)壁結(jié)構(gòu)包括用于保溫的夾層區(qū),所述夾層區(qū)有且兩個(gè)開口,包括設(shè)置于干燥腔室內(nèi)遠(yuǎn)離第一入口一側(cè)的第二入口和設(shè)置于干燥腔室內(nèi)遠(yuǎn)離第二入口一側(cè)的第二出口,所述第二出口和第一出口相連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于:所述第二入口處設(shè)置有擾流擋板,且所述擾流擋板上開設(shè)有若干條形孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于:所述至少三條氣體流通路徑包括由第一入口經(jīng)晶圓片間隙至晶圓容納室底部開口的第一路徑、由第一入口經(jīng)晶圓片洗滌槽至晶圓容納室底部開口的第二路徑、由第一入口經(jīng)晶圓容納室外側(cè)壁至晶圓容納室底部開口的第三路徑、由第一入口經(jīng)夾層區(qū)外側(cè)壁至夾層區(qū)第二入口的第四路徑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖案化晶圓干燥方法,其特征在于:所述干燥腔室的底部設(shè)置為帶有向下傾斜角度的坡形結(jié)構(gòu)用以向晶圓片底部二次反射熱氮?dú)饬鳌?/p>
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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