[發(fā)明專利]一種光尋址電化學(xué)傳感器及其制備方法和檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010124420.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111220667B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張文;陳芷羽;劉超;魏曉鷗;張俊俊;鄒小波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/30 | 分類號(hào): | G01N27/30;G01N27/327;G01N27/333;G01N27/48 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 212013 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 尋址 電化學(xué)傳感器 及其 制備 方法 檢測(cè) | ||
1.一種光尋址電化學(xué)傳感器,其特征在于,包括集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)、激光組件(2)、光纖(6)、LAPS芯片(7)、參比電極(8)和跨阻抗放大器(9);
所述激光組件(2)包括激光二極管(3)和微透鏡(5);所述激光二極管(3)、半反半透鏡(11)和微透鏡(5)在同一光路上,所述激光二極管(3)與集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)連接,激光二極管(3)的光源經(jīng)過微透鏡(5)到達(dá)光纖(6)的一端,所述光纖(6)的另一端設(shè)有LAPS芯片(7),LAPS芯片(7)用于測(cè)量葡萄糖濃度;
所述LAPS芯片(7)包括依次連接的第一金層、二氧化硅層、N型硅晶基底和第二金層;用丙酮稀釋隔離性環(huán)氧膠涂在除第一金層表面外的其他區(qū)域,在第一金層表面上先后滴裹葡萄糖氧化酶GOx溶液和全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物作為傳感面;
所述半反半透鏡(11)屬于激光組件(2),激光組件(2)還包括光電二極管(4)和反光鏡(12),所述光電二極管(4)與集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)連接,激光二極管(3)的部分光源經(jīng)過所述半反半透鏡(11)和微透鏡(5)到達(dá)光纖(6)的一端,所述激光二極管(3)的另一部分光源通過反光鏡(12)反射到光電二極管(4);
LAPS芯片(7)和參比電極(8)分別與跨阻抗放大器(9)的一端連接,跨阻抗放大器(9)的另一端用于連接外部設(shè)備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光尋址電化學(xué)傳感器,其特征在于,所述LAPS芯片(7)包括依次連接的第一金層、二氧化硅層、N型硅晶基底和第二金層;用丙酮稀釋隔離性環(huán)氧膠涂在除第一金層表面外的其他區(qū)域,在第一金層表面上先后滴裹葡萄糖氧化酶GOx溶液和全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物作為傳感面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光尋址電化學(xué)傳感器,其特征在于,所述激光組件(2)還包括光電二極管(4)、半反半透鏡(11)和反光鏡(12);
所述光電二極管(4)與集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)連接,激光二極管(3)的部分光源經(jīng)過所述半反半透鏡(11)和微透鏡(5)到達(dá)光纖(6)的一端,所述激光二極管(3)的另一部分光源通過反光鏡(12)反射到光電二極管(4)。
4.一種根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述光尋址電化學(xué)傳感器的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的構(gòu)建:所述光尋址電化學(xué)傳感器包括集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)、激光組件(2)、光纖(6)、LAPS芯片(7)、參比電極(8)和跨阻抗放大器(9);
所述激光組件(2)包括激光二極管(3)和微透鏡(5);所述激光二極管(3)、半反半透鏡(11)和微透鏡(5)在同一光路上,所述激光二極管(3)與集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)連接,激光二極管(3)的光源經(jīng)過微透鏡(5)到達(dá)光纖(6)的一端,所述光纖(6)的另一端設(shè)有LAPS芯片(7),LAPS芯片(7)用于測(cè)量葡萄糖濃度;
LAPS芯片(7)和參比電極(8)分別與跨阻抗放大器(9)的一端連接,跨阻抗放大器(9)的另一端用于連接外部設(shè)備;
LAP S芯片(7)的制作和組裝:以N型硅晶片作為基底,在熱干氧化下,N型硅晶片的兩側(cè)各生長(zhǎng)了一層二氧化硅,用氫氟酸HF完全除去上面的一層二氧化硅,再使用熱蒸發(fā)法在兩側(cè)各沉積第一金層和第二金層,接著通過影印石板術(shù),將微環(huán)光刻在第二金層上,第二金層直接與N型硅晶片表面接觸,與此同時(shí)在對(duì)側(cè)就得到了一個(gè)固態(tài)金表面,即第一金層;將此芯片切成圓芯片,將光纖(6)置于圓芯片的金環(huán)中心,使用銀膠來組裝LAPS芯片(7)和光纖(6),銀膠通過銀漆線使得LAPS芯片(7)和跨阻抗放大器(9)連接,用丙酮稀釋隔離性環(huán)氧膠涂在除第一金層表面外的其他區(qū)域;
傳感器功能修飾:在第一金層表面上先后滴裹葡萄糖氧化酶GOx溶液和全氟磺酸-聚四氟乙烯共聚物作為傳感面;
參比電極的制作:裸銀線放置在鹽酸中生成Ag-AgCl薄層,用環(huán)氧樹脂將其組裝在LAPS芯片(7)附近,作為參比電極;
傳感器的組裝:將集成有源驅(qū)動(dòng)器(1)、所述激光組件(2)、跨阻抗放大器(9)組裝在印刷電路板上。
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