[發明專利]體聲波濾波器元件及其形成方法、多工器及通訊設備

有效

• 申請號: 202010123929.9
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111327296B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 蔡華林;龐慰
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;H03H9/72
• 代理公司: 北京漢智嘉成知識產權代理有限公司 11682
• 代理人: 姜勁;谷惠敏

1.一種形成體聲波濾波器元件的方法，其特征在于，包括：

將一部分諧振器設于上晶圓，另一部分諧振器設于下晶圓；上晶圓和下晶圓疊加設置；

上晶圓的對接管腳與下晶圓的對接管腳鍵合，使得上晶圓和下晶圓的諧振器連接形成濾波器；

上晶圓的諧振器與下晶圓的諧振器之間的間距在1um至50um之間；

所述濾波器的串聯諧振器設于上晶圓，并聯諧振器設于下晶圓；或者，所述濾波器的串聯諧振器設于下晶圓，并聯諧振器設于上晶圓；

對于所述串聯諧振器和并聯諧振器的壓電層，增加壓電層厚度并且/或者提高壓電層介電常數，以提高所述濾波器中的諧振器的機電耦合系數。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：減小所述上晶圓的諧振器與所述下晶圓的諧振器之間的寄生電容以提高所述濾波器中的諧振器的機電耦合系數。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述上晶圓的對接管腳與下晶圓的對接管腳鍵合之前，所述諧振器的機電耦合系數的范圍是6.5％至9.5％；

對于所述提高所述濾波器中的諧振器的機電耦合系數，提高后的該機電耦合系數的范圍是6.5％至9.5％。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述范圍是7.5％至8.5％。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，提高所述濾波器中的諧振器的機電耦合系數的比例為1％至0.02％。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：根據諧振器、管腳的形狀以及二者的布置位置來調節對接管腳的形狀。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，調節上晶圓的諧振器圖形與下晶圓的諧振器圖形之間在水平方向的交錯面積，以減小上晶圓和下晶圓的諧振器之間產生的寄生電容。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，調整對接管腳的限定厚度，從而調節上晶圓的諧振器與下晶圓的諧振器之間的間距，以減小上晶圓和下晶圓的諧振器之間產生的寄生電容。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

在濾波器版圖上，將串聯支路的前級電路和后級電路分區設置，以及將并聯支路的前級電路和后級電路分區設置，并且使上晶圓上的前級電路與下晶圓的前級電路相對設置，上晶圓上的后級電路與下晶圓的后級電路相對設置，以減小所述前后級之間的寄生電容。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：對所述串聯諧振器調整機電耦合系數使其變小，并且小于并聯諧振器的機電耦合系數，以改善所述濾波器通帶右側的滾降性能。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：對所述并聯諧振器調整機電耦合系數使其變小，并且小于串聯諧振器的機電耦合系數，以改善所述濾波器通帶左側的滾降性能。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述調整機電耦合系數使其變小的步驟包括：減小諧振器壓電層的厚度。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述調整機電耦合系數使其變小的步驟包括：降低諧振器壓電層的介電常數。