[發明專利]半導體組件及半導體封裝

在審

• 申請號: 202010123545.7
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111627879A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: G.內鮑爾;A.米爾錢達尼
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/49;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉茜璐;申屠偉進

1.一種半導體封裝（10；50；60），包括：

至少一個管芯墊（11）；

多個外部接觸部（12）；

第一半導體器件（14）；

第二半導體器件（15；15'；15），包括具有源極電極（18）、柵極電極（19）和漏極電極（20）的第一晶體管器件（17），所述第二半導體器件（15；15'；15）包括前表面（21）和后表面（22）、在所述前表面（21）上的前金屬化（23）和在所述后表面（22）上的后金屬化（24），其中所述前金屬化（23）包括耦合到所述源極電極（18）的第一電源接觸墊（25），所述第一電源接觸墊（25）安裝在所述管芯墊（11）上，并且所述后金屬化（24）包括電耦合到所述漏極電極（20）的第二電源接觸墊（26）和與所述第二電源接觸墊（26）和所述漏極電極（20）電絕緣的輔助橫向再分布結構（27），

其中，所述第一半導體器件（15；15'；15）電耦合到所述輔助橫向再分布結構（27）。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝（10；50；60），其中所述輔助橫向再分布結構（27）包括導電跡線（28；64），其延伸到導電跡線（28；64）的一端或兩端處的接觸墊（29、30）中。

3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝（10），其中，所述第一半導體器件（15）通過所述第二半導體器件（15）上的所述輔助橫向再分布結構（27）電耦合到外部接觸部（12'），并且所述輔助橫向再分布結構（27）可操作地未連接到所述第二晶體管器件（15）。

4.根據權利要求1或2所述的半導體封裝（50），其中所述第一半導體器件（14）包括柵極驅動器電路并且通過所述輔助橫向再分布結構（27）電耦合到所述第一晶體管器件（17）的所述柵極電極（20）。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體封裝（50；60），其中所述第二半導體器件（15'；15）還包括從所述后表面（22）延伸到所述前表面（21）的至少一個穿襯底通孔（55、67、68），所述穿襯底通孔（55、67、68）電耦合到所述后表面（22）上的所述輔助橫向再分布結構（17）。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝（50，60），其中所述穿襯底通孔（55，67，67）還電耦合到所述前表面（21）上的澆道（51），其電耦合到所述第一晶體管器件（17）的所述柵極電極（19）。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體封裝，其中，所述第二半導體組件（15）還包括輔助結構（70），并且所述輔助橫向再分布結構（17）電耦合到所述輔助結構（70）。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述輔助結構（70）是提供電流感測的輔助晶體管器件、或提供溫度感測的輔助晶體管器件、或下拉輔助晶體管器件。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的半導體封裝（60），其中所述后表面（22）上的所述第二電源接觸墊（26）被分成兩個或更多個部分（61；62；63），并且其中所述輔助橫向再分布結構（27）包括位于所述第二電源接觸墊的兩個相鄰部分（61；62）之間并且與其電絕緣的第一導電跡線（65）、以及布置在所述后表面（22）的外圍邊緣區中并且連接到所述第一導電跡線（65）的第二導電跡線（64），其中所述穿襯底通孔（67）在所述后表面（22）上的所述第一導電跡線（65）和所述前表面（21）上的所述澆道（51）之間或者在所述后表面（22）上的所述第二導電跡線（64）和所述前表面（21）上的所述澆道（51）之間延伸。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝（60），其中所述前表面（21）上的所述澆道（51）基本上垂直于所述后表面（22）上的所述第一導電跡線（65）延伸，并且所述穿襯底通孔（67）在所述第一導電跡線（65）和所述澆道（51）之間延伸。