[發(fā)明專利]導線層的制作方法

有效

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• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN113314456B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發(fā)明（設計）人: 李凱旋
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種導線層的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有開口的晶圓；

在所述晶圓上以及所述開口底部和側壁沉積導電晶粒，以形成導電膜；其中，在沉積所述導電晶粒期間，所述晶圓表面的溫度小于所述導電膜的流動溫度，所述晶圓表面的溫度大于或等于所述流動溫度時，所述導電膜開始流動；

在形成所述導電膜后，增加所述晶圓表面的溫度以進行回流工藝，使所述導電膜轉換為填充滿所述開口的導電層，所述增加所述晶圓表面的溫度以進行回流工藝，具體包括：提高反應腔室的溫度，并向所述反應腔室內通入氣體，使得所述晶圓的溫度大于或等于所述流動溫度；其中，所述氣體的流量為2sccm～10sccm；在進行所述回流工藝之前，位于所述晶圓上的所述導電膜的厚度為500nm～750nm；所述氣體的通入時間為60s～120s；所述提高反應腔室的溫度，具體包括：先將所述反應腔室的溫度提升至第一預設溫度，再將所述反應腔室的溫度下降至第二預設溫度，所述第一預設溫度大于所述第二預設溫度，且所述第一預設溫度和所述第二預設溫度大于所述流動溫度。

2.根據(jù)權利要求1所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述在所述晶圓上沉積導電晶粒，具體包括：向反應腔室內通入濺射氣體并開啟直流電源，以使所述濺射氣體形成等離子體，所述等離子體撞擊導電靶材以濺射出所述導電晶粒，所述導電晶粒沉積在所述晶圓上。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述流動溫度為330℃～350℃，所述回流工藝的工藝溫度為400℃～450℃。

4.根據(jù)權利要求3所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述導電晶粒的材料包括鋁。

5.根據(jù)權利要求1所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述提供具有開口的晶圓，具體包括：提供具有開口的晶圓，所述晶圓的用于沉積所述導電晶粒的表面覆蓋有隔離層；沉積所述導電晶粒至所述隔離層表面，以形成所述導電膜；其中，所述隔離層的材料包括鈦、氮化鈦、鉭或氮化鉭。

6.根據(jù)權利要求5所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述隔離層的厚度為5nm～50nm。

7.根據(jù)權利要求1所述的導線層的制作方法，其特征在于，在進行所述回流工藝之后，形成抗反射層，所述抗反射層覆蓋所述導電層遠離所述晶圓的表面。

8.根據(jù)權利要求7所述的導線層的制作方法，其特征在于，所述抗反射層的材料包括氮化鈦，所述抗反射層的厚度為10nm～50nm。