[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010123262.2
• 申請(qǐng)日: 2020-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111627979B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永岡達(dá)司;西中浩之;吉本昌廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社電裝;國(guó)立大學(xué)法人京都工蕓纖維大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/04;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/463;H01L21/34
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

氧化鎵基板，其包括由(100)晶面構(gòu)成的第一側(cè)面、由(100)晶面之外的面構(gòu)成的第二側(cè)面、以及上表面；以及

電極，其與所述上表面接觸，

所述氧化鎵基板具有由pn界面或肖特基界面構(gòu)成的二極管界面、以及經(jīng)由所述二極管界面與所述電極連接的n型漂移區(qū)，

所述第一側(cè)面與所述二極管界面之間的最短距離比所述第二側(cè)面與所述二極管界面之間的最短距離短。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述氧化鎵基板具有與所述電極和所述漂移區(qū)接觸的p型陽(yáng)極區(qū)，

所述二極管界面是所述陽(yáng)極區(qū)與所述漂移區(qū)之間的界面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述漂移區(qū)與所述電極進(jìn)行肖特基接觸，所述二極管界面是所述電極與所述漂移區(qū)之間的界面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

在觀察所述氧化鎵基板的所述上表面的情況下，所述第一側(cè)面的長(zhǎng)度比所述第二側(cè)面的長(zhǎng)度更長(zhǎng)。

5.一種制造方法，其制造半導(dǎo)體裝置，該制造方法具有：

在氧化鎵基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置的工序；以及

通過(guò)切割所述氧化鎵基板而將多個(gè)所述半導(dǎo)體裝置彼此分割的工序，

分割后的各個(gè)所述半導(dǎo)體裝置具有與所述氧化鎵基板的上表面接觸的電極，

分割后的各個(gè)所述半導(dǎo)體裝置的所述氧化鎵基板具有由pn界面或肖特基界面構(gòu)成的二極管界面、以及經(jīng)由所述二極管界面與所述電極連接的n型漂移區(qū)，

切割所述氧化鎵基板的所述工序具有：

第一工序，在該工序中，沿著沿(100)晶面延伸的第一切割線將所述氧化鎵基板切斷；以及

第二工序，在該工序中，沿著沿(100)晶面之外的面延伸的第二切割線將所述氧化鎵基板切斷，

所述第一工序中的切斷面與所述二極管界面之間的最短距離，比所述第二工序中的切斷面與所述二極管界面之間的最短距離更短。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，

分割后的各個(gè)所述半導(dǎo)體裝置的所述氧化鎵基板具有與所述電極和所述漂移區(qū)接觸的p型陽(yáng)極區(qū)，

所述二極管界面是所述陽(yáng)極區(qū)與所述漂移區(qū)之間的界面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，

在分割后的各個(gè)所述半導(dǎo)體裝置中，所述漂移區(qū)與所述電極進(jìn)行肖特基接觸，

所述二極管界面是所述電極與所述漂移區(qū)之間的界面。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的制造方法，

在切割前的所述氧化鎵基板的所述上表面中，所述第一切割線的數(shù)量比所述第二切割線的數(shù)量多。