[發明專利]發光元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010122844.9
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN111430511A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 邱柏順;郭得山;楊治政;黃俊儒;李建輝;陳英杰;林資津
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78;H01L33/22;B23K26/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件制造方法，包含：

提供發光二極管晶片，包含基板以及半導體疊層位于該基板上，其中該半導體疊層包含第一半導體層、一活性層、第二半導體層、下表面面對該基板以及上表面相對于該下表面；

移除部分區域的該第二半導體層及該活性層，并暴露出該第一半導體層，以形成多個平臺；

提供第一激光光束自該上表面照射該半導體疊層，以在該多個平臺表面形成多條切割線，其中該多條切割線由該多個平臺往下延伸；

以濕式蝕刻制作工藝清潔該發光二極管晶片；

形成電極在該半導體疊層上；

提供第二激光光束聚焦該基板內部，在該基板中形成一或多條粗化痕；以及

分離該發光二極管晶片形成多個發光二極管管芯。

2.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該第二激光光束為一隱形切割(Stealth Dicing)激光光束，其于該基板中進行多次照射，以在該基板中同一截面上形成該多條粗化痕。

3.如權利要求2所述的發光元件制造方法，其中該隱形切割激光光束于該基板中的照射次數取決于該基板的厚度，該基板的厚度不小于150μm，該照射次數不大于(該基板厚度-100)(單位μm)÷50無條件進位至整數的數值。

4.如權利要求2所述的發光元件制造方法，其中于該基板中進行多次照射的該隱形切割激光光束包含：

提供具有第一能量及第一切割速度的第一隱形切割激光光束；以及

提供具有第二能量及第二切割速度的第二隱形切割激光光束于該基板中，

其中該第一隱形切割激光光束在該基板中的位置較該第二隱形切割激光光束接近該半導體疊層，且該第一能量小于該第二能量，該第一切割速度高于該第二切割速度。

5.如權利要求4所述的發光元件制造方法，其中該第一隱形切割激光光束的功率介于0.05至0.15W(瓦特)，及/或該第一切割速度介于400至1000mm/sec(毫米/秒)。

6.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中提供該第二激光光束聚焦該基板內部的位置距離該半導體疊層不小于80μm。

7.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該一或多條粗化痕在該基板的厚度方向上的寬度小于60μm。

8.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該一或多條粗化痕的粗糙度介于1μm至5μm。

9.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該基板的厚度不小于150μm。

10.如權利要求1所述的發光元件制造方法，其中該多條切割線穿透該半導體疊層，劃切到該基板至一深度。