[發(fā)明專利]一種具有高散熱效率的超導導體支架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010122337.5 | 申請日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN111403102B | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 戴少濤;石洋洋;張騰;莫思銘;蔡淵;袁文;馬韜;王邦柱;胡磊 | 申請(專利權(quán))人: | 北京交通大學;東部超導科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01B12/02 | 分類號: | H01B12/02;H01B12/10;H01B12/12;H01B12/16 |
| 代理公司: | 北京衛(wèi)平智業(yè)專利代理事務所(普通合伙) 11392 | 代理人: | 張新利;謝建玲 |
| 地址: | 100044*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 散熱 效率 超導 導體 支架 | ||
1.一種具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于,包括:總體支撐架(4)和層間支撐體(2),所述總體支撐架(4)包括若干層由金屬材料制成的具有一定厚度的圓筒壁,在每一層圓筒壁上均開設(shè)有沿圓周對稱的超導導體通道(3);總體支撐架(4)的中心中空處為中心冷卻通道(5);所述層間支撐體(2)由金屬材料制成,位于相鄰的兩層圓筒壁之間,用于支撐圓筒壁,使相鄰的兩層圓筒壁之間留有一定的空間,總體支撐架(4)的相鄰的兩層圓筒壁與層間支撐體(2)之間形成若干個層間冷卻通道(6)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述總體支撐架(4)的材料為銅或鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述圓筒壁的層數(shù)大于等于2層。
4.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:每層圓筒壁上開設(shè)的超導導體通道(3)的數(shù)目大于等于三個。
5.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:每層圓筒壁上的超導導體通道(3)均有0-90度的扭絞角度,同一層圓筒壁上的超導導體通道(3)的扭絞方向和扭絞角度相同,且相鄰兩層圓筒壁上的超導導體通道(3)的扭絞方式為反方向?qū)ΨQ。
6.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述層間支撐體(2)的材料為銅或鋁。
7.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述具有高散熱效率的超導導體支架還包括絕緣層(7),絕緣層(7)采用絕緣紙繞制而成,絕緣層(7)繞置于總體支撐架(4)的外壁上。
8.如權(quán)利要求7所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述絕緣紙為PPLP絕緣紙。
9.如權(quán)利要求1所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述具有高散熱效率的超導導體支架還包括屏蔽層(8),屏蔽層(8)繞置于絕緣層(7)的外壁上,單端或者兩端接地,形成“法拉第籠”,所述屏蔽層(8)的材料為銅或超導材料。
10.如權(quán)利要求1-9任一權(quán)利要求所述的具有高散熱效率的扭絞式超導導體支架,其特征在于:所述具有高散熱效率的超導導體支架還包括保護外殼(9),保護外殼(9)封裝在所述超導導體支架的最外層,所述保護外殼(9)的材料為銅或鋁。
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