[發明專利]一種2.5D封裝方法在審
| 申請號: | 202010121640.3 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111326423A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 李駿 | 申請(專利權)人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/367;H01L29/06 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 2.5 封裝 方法 | ||
1.一種2.5D封裝方法,其特征在于,所述封裝方法包括:
提供第一封裝體,所述第一封裝體包括至少一個大芯片、至少一個小芯片,所述大芯片包括相背設置的第一功能面和第一非功能面,所述第一非功能面設置有凹槽,至少一個所述小芯片倒裝固定于所述凹槽內;
在具有電互連結構的基板上形成再布線層;
將至少一個所述大芯片的所述第一功能面與所述再布線層固定連接。
2.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述提供第一封裝體包括:
將至少一個所述大芯片的所述第一功能面黏貼于載板上;
將至少一個所述小芯片的第二功能面倒裝固定于所述凹槽的底部上;
在所述第二功能面與所述底部之間形成第一底填膠;
在所述載板設置有所述大芯片一側形成塑封層,所述大芯片的所述第一功能面從所述塑封層中露出。
3.根據權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,所述在所述載板設置有所述大芯片一側形成塑封層之前,還包括:
在所有所述小芯片的第二非功能面一側形成焊料層;
在所述焊料層上形成散熱結構。
4.根據權利要求3所述的封裝方法,其特征在于,所述在所述載板設置有所述大芯片一側形成塑封層,包括:
去除所述載板;
將所述散熱結構置于下方;
在所述散熱結構設置有所述大芯片一側形成所述塑封層,所述塑封層覆蓋所述大芯片的所述第一功能面;
研磨所述塑封層遠離所述散熱結構一側,以使得所述第一功能面露出。
5.根據權利要求3所述的封裝方法,其特征在于,所述在所述載板設置有所述大芯片一側形成塑封層,包括:
在所述散熱結構和所述載板之間形成所述塑封層;
去除所述載板。
6.根據權利要求3所述的封裝方法,其特征在于,
所述載板上設置有至少兩個所述大芯片,所述散熱結構包括一整個散熱板,所述散熱板覆蓋所有所述大芯片的所述第一非功能面一側。
7.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,
所述散熱板為平板狀;或者,
所述散熱板包括平板部以及自所述平板部的一側表面延伸的多個延伸部,相鄰兩個延伸部之間的區域對應一個所述大芯片,且所述大芯片的側面與相鄰的所述延伸部接觸;或者,
所述散熱板包括平板部以及自所述平板部的一側表面延伸的多個延伸部,自所述平板部的一端至另一端方向上,相鄰所述延伸部之間的間隔為第一間隔和第二間隔的交替設置方式,且具有所述第一間隔的相鄰兩個所述延伸部之間的區域對應一個所述大芯片,且所述大芯片的側面與相鄰的所述延伸部接觸。
8.根據權利要求6所述的封裝方法,其特征在于,所述將至少一個所述大芯片的所述第一功能面與所述再布線層固定連接之后,還包括:
切割掉相鄰所述大芯片之間的至少部分區域,以獲得包括單顆大芯片的封裝體。
9.根據權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述在具有電互連結構的基板上形成再布線層,包括:
在所述基板上形成第二再布線層;
在所述第二再布線層遠離所述基板一側形成第一再布線層。
10.根據權利要求9所述的封裝方法,其特征在于,所述將至少一個所述大芯片的所述第一功能面與所述再布線層固定連接,包括:
在所述第一再布線層上形成焊料;
將至少一個所述大芯片的所述第一功能面與所述焊料接觸;
回流處理。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





