[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010121436.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113314455A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雒建明;于海龍;譚晶晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京市一法律師事務(wù)所 11654
• 代理人: 劉榮娟

1.一種互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括有源區(qū)；

在所述襯底上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有貫穿所述介質(zhì)層的開(kāi)口，所述開(kāi)口暴露所述有源區(qū)的表面；

在所述開(kāi)口的底部形成第一金屬層；

在所述第一金屬層的表面形成第一阻擋層，所述第一阻擋層暴露所述開(kāi)口的側(cè)壁；

在形成所述第一阻擋層之后，進(jìn)行退火處理，使所述開(kāi)口底部剩余的第一金屬層與所述有源區(qū)表面的材料反應(yīng)以形成金屬硅化物層；

在形成所述金屬硅化物層之后，在所述第一阻擋層的表面、所述開(kāi)口的側(cè)壁形成第二阻擋層；以及

在形成所述第二阻擋層之后，在所述開(kāi)口中形成填滿所述開(kāi)口的第二金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層的材料包括鈦，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的材料包括氮化鈦。

3.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為70埃至140埃。

4.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度為15埃至40埃。

5.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度為10埃至15埃。

6.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述退火處理包括動(dòng)態(tài)表面退火處理。

7.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第一金屬層的工藝為物理氣相沉積工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第一阻擋層的工藝為物理氣相沉積工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第二阻擋層的工藝為原子層沉積工藝。

10.一種互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括有源區(qū)；

介質(zhì)層，位于所述襯底上并具有貫穿所述介質(zhì)層的開(kāi)口，所述開(kāi)口位于所述有源區(qū)上；

金屬硅化物層，位于所述開(kāi)口的底部的有源區(qū)表面；

第一阻擋層，位于所述金屬硅化物層表面；

第二阻擋層，位于所述第一阻擋層的表面以及所述開(kāi)口的側(cè)壁，且所述開(kāi)口的側(cè)壁的第二阻擋層與所述介質(zhì)層接觸；以及

第二金屬層，位于所述第二阻擋層的表面并填滿所述開(kāi)口。

11.如權(quán)利要求10所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬硅化物層的厚度為70埃至140埃。

12.如權(quán)利要求10所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度為15埃至40埃。

13.如權(quán)利要求10所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度為10埃至15埃。

14.如權(quán)利要求10所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬硅化物層的材料包括硅化鈦，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層的材料包括氮化鈦。