[發明專利]一種稀土摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料及其制備方法在審
| 申請號： | 202010121102.4 | 申請日： | 2020-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN111286328A | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 彭躍紅;舒鑫柱;楊爾均;王琦聞;趙文倩;麻鉞;李文禹;聶建全 | 申請（專利權）人： | 楚雄師范學院 |
| 主分類號： | C09K11/74 | 分類號： | C09K11/74 |
| 代理公司： | 昆明合盛知識產權代理事務所(普通合伙) 53210 | 代理人： | 龍燕 |
| 地址： | 675000 云南省楚*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 稀土 摻雜 層狀 結構 半導體 轉換 發光 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種稀土摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料，其特征在于：該發光材料的化學通式為：Ca1-x-yYbxREyBi2Nb2O9，其中RE為稀土元素Ho、Tm或Tb；x＝0.01～0.1，y＝0.005～0.05。
2.權利要求1所述稀土摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料，其特征在于：所述的稀土元素為Ho、Tm或Tb。
3.根據權利要求2所述的稀土摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：
(1)根據化學計量比分別稱量Bi2O3、CaCO3、Nb2O5、Yb2O3、稀土氧化物，其中，稀土氧化物為Ho2O3、Tm2O3或Tb4O7，置于研缽中，加入分散劑研磨，使原料充分混合均勻后烘干；
(2)將烘干后的原料置于坩堝中，放入馬弗爐中在800～950℃條件下預燒1～3h，然后在空氣氣氛下于1000-1150℃下燒結2～5h；冷卻至室溫，將燒結好的樣品再次研磨，即可得到化學式為Ca1-x-yYbxREyBi2Nb2O9的稀土離子摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料。
4.根據權利要求3所述的稀土摻雜鉍層狀結構半導體上轉換發光材料的制備方法，其特征在于：所述分散劑為無水乙醇。
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