[發明專利]自適應溫度芯片量產校準方法及系統有效
| 申請號： | 202010120541.3 | 申請日： | 2020-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN111366837B | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發明（設計）人： | 張偉 | 申請（專利權）人： | 上海申矽凌微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;G01K15/00 |
| 代理公司： | 上海段和段律師事務所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭國中 |
| 地址： | 201108 上海市閔*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自適應 溫度 芯片 量產 校準 方法 系統 | ||
本發明提供了一種自適應溫度芯片量產校準方法及系統，包括：步驟S1：溫度芯片在量產時僅測量偏置電壓V1，參考電壓V2，偏置電流I1，靜態工作電流I2；步驟S2：從預設的自適應表格中尋找相匹配的數據，得到溫度的校準值TrimT，同時將此值寫入溫度芯片中；如果沒有找到相匹配的數據，則根據相同工藝條件下對應的溫度偏差統計ΔTinit＝f(V1,V2,I1,I2),從而得到溫度偏差的校準值ΔTinit。本發明自適應地糾正校準參數保證了系統運行的高效。無論是轉塔式還是振動盤式的溫度生產測量裝置，其測試準確度和效率都得到了提高。
技術領域
本發明涉及半導體溫度芯片的量產生產領域，具體地，涉及一種自適應溫度芯片量產校準方法及系統。
背景技術
溫度傳感器芯片的校準涉及1)溫度芯片傳輸到測試站點2)在測試站點穩定的時間3)測試站點溫度和外界是否有隔離和溫度的對流4)測試站點的校準時長5)芯片校準后溫度的測量方式。
專利CN101658355A提出使用一種氧化鋁陶瓷發熱片的的常溫阻值和溫度校準電位器的實際阻值。熱量的穩定和傳遞需要一定的時間，會導致工作效率變低；同時采用中央處理器讀取ADC采集分壓電阻的輸出，ADC的精度會對溫度的測量有損失和時間上的失配。
發明內容
針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種自適應溫度芯片量產校準方法及系統。
根據本發明提供的一種自適應溫度芯片量產校準方法，包括：
步驟S1：溫度芯片在量產時僅測量偏置電壓V1，參考電壓V2，偏置電流I1，靜態工作電流I2；
步驟S2：從預設的自適應表格中尋找相匹配的數據，得到溫度的校準值TrimT，同時將此值寫入溫度芯片中；如果沒有找到相匹配的數據，則根據相同工藝條件下對應的溫度偏差統計ΔTinit＝f(V1,V2,I1,I2),從而得到溫度偏差的校準值ΔTinit；
步驟S3：從NT顆芯片中，選擇一顆芯片傳送到溫度檢驗腔室，重新測量V1,V2,I1,I2以及實際的溫度誤差ΔTpost，將這5個參數記錄到預設的自適應表格中，如果V1,V2,I1,I2所定位的ΔTinitΔTpost,此數據表所對應的溫度誤差將得到修正。
優選地，所述溫度偏差統計函數f(V1,V2,I1,I2)＝∑f(i)；
計算出參數的平均值，其對應的調節函數是f(i)＝ki*{Avg(i)-i}+bi；
ki表示關于參數i的線性關系的系數；
bi表示關于參數i的線性關系的偏移。
優選地，所述的溫度檢驗腔室：
是固定的溫度點，不受外界的環境影響的密閉腔室，接受外界的已測試的芯片，用于糾正溫度的偏差。
優選地，所述自適應的數據表的內容包括：
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