[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010120315.5
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN113314658A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 楓政國;陳學龍
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L25/075
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

一種發光二極管封裝結構，包括陣列基板及陣列分布于所述陣列基板上的發光二極管，所述發光二極管封裝結構還包括隔離各個所述發光二極管的擋墻。本發明的提供的發光二極管封裝結構在各個所述發光二極管周圍形成所述擋墻，防止相鄰的所述發光二極管之間的光場重疊，以呈現出點發光效果，提高出光清晰度，提升顯示的可靠性。本發明還提供一種發光二極管封裝結構的制造方法。

技術領域

本發明涉一種發光二極管封裝結構及制造方法，尤其涉及一種微型發光二極管結構或次毫米發光二極管結構。

背景技術

微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode)技術，即LED微縮化矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成高密度微小尺寸的 LED陣列，LED單元小于50微米。次毫米發光二極管(Mini Light Emitting Diode)結構，LED單元大約為100微米。Micro LED的優勢在于高效率、高亮度、高可靠度、反應時間快、自發光、體積小、輕薄，還能輕易實現節能的效果。

但是，由于LED單元間距非常小，相鄰的LED單元之間的光場重疊，難以呈現出點發光效果，清晰度低。

發明內容

鑒于此，本發明提供一種解決上述問題的發光二極管封裝結構及制造方法。

一種發光二極管封裝結構，包括陣列基板及陣列分布于所述陣列基板上的發光二極管，所述發光二極管封裝結構還包括隔離各個所述發光二極管的擋墻。

一種發光二極管封裝結構制造方法，包括以下步驟：

在陣列基板上形成陣列分布的連接墊；

在承載基板上形成陣列分布的發光二極管，所述發光二極管包括與所述連接墊對應設置的第一電極與第二電極；

將多個所述連接墊與所述第一電極或所述第二電極分別對準后壓合；

剝離所述承載基板；

在各個所述發光二極管周圍形成擋墻。

本發明的實施例提供的發光二極管封裝結構在各個所述發光二極管周圍形成所述擋墻，防止相鄰的所述發光二極管之間的光場重疊，以呈現出點發光效果，提高出光清晰度，提升顯示的可靠性。

附圖說明

圖1是本發明一實施例提供的發光二極管封裝結構的陣列基板的剖面示意圖。

圖2是本發明一實施例提供的發光二極管封裝結構的承載基板的剖面示意圖。

圖3是圖1所示的陣列基板與圖2所示的承載基板對準的剖面示意圖。

圖4是圖1所示的陣列基板與圖2所示的承載基板壓合的剖面示意圖。

圖5是圖4所示壓合后剝離的陣列基板的剖面示意圖。

圖6是圖5所示剝離陣列基板后的剖面示意圖。

圖7是圖5所示剝離陣列基板后的俯視示意圖。

圖8是覆蓋擋墻后的剖面示意圖。

圖9是覆蓋擋墻后的俯視示意圖。

圖10是形成色轉膠與擴散膠后的剖面示意圖。

圖11是形成透明保護層后的剖面示意圖。

圖12是本發明一實施例提供的發光二極管封裝結構的制造方法的流程示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管封裝結構 100

陣列基板 10