[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010119889.0
• 申請日: 2020-02-26
• 公開（公告）號: CN111216034B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪寧;蘇永波;丁芃;王大海;金智
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/14;B24B37/27;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 溫可睿

1.一種半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，包括：

提供GaSb晶圓，所述GaSb晶圓包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；

在所述第一表面制作形成正面電路結(jié)構(gòu)；

提供承載片；

將所述GaSb晶圓的正面電路結(jié)構(gòu)與承載片貼合；

采用第一磨盤和研磨液對所述GaSb晶圓的第二表面進行一體化減薄拋光，所述第一磨盤上設(shè)置有碳化鎢涂層，所述碳化鎢涂層的顆粒粒徑為納米級別，所述碳化鎢涂層用于研磨所述GaSb晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述碳化鎢涂層的顆粒粒徑范圍為500nm-800nm，包括端點值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述研磨液包括：

潤滑劑：PEG聚乙二醇混合物；

表面活性劑：苯磺酸鹽；

分散劑：次氯酸鹽；

去離子水；

PH值調(diào)節(jié)劑：氨水。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述研磨液的各個組成部分的質(zhì)量比例為：潤滑劑PEG-600 1％～5％，PEG-1000 1％～5％；表面活性劑3％～5％；分散劑1％～4％；去離子水80％～94％；PH值調(diào)節(jié)劑：0.1％～1％；PH值8～10。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述第一磨盤的轉(zhuǎn)速為100rpm/min～200rpm/min，包括端點值；所述研磨液的流速范圍為2ml/sec～3ml/sec，包括端點值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，在所述采用第一磨盤和研磨液對所述GaSb晶圓的第二表面進行一體化減薄拋光之后，還包括：

采用第二磨盤和拋光液對所述第二表面進行精密拋光。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述拋光液包括：納米CeO₂漿液。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述拋光液中各組分的質(zhì)量比例為：

5％～10％CeO₂顆粒，粒徑≤10nm；次氯酸鹽和雙氧水混合液5％～15％；去離子水80％～90％，PH值9～11。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制作方法，其特征在于，所述采用第一磨盤和研磨液對所述GaSb晶圓的第二表面進行一體化減薄拋光至所述GaSb晶圓的厚度小于100μm。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件采用權(quán)利要求1-9任意一項所述的半導(dǎo)體器件制作方法制作形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為發(fā)光二極管、光探測器、半導(dǎo)體激光器或光伏電池。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的GaSb晶圓的厚度小于30μm，厚度均勻性分布±0.5μm，粗糙度小于或等于