[發明專利]一種非制冷超寬光譜光電轉換器及陣列探測器

在審

• 申請號: 202010119195.7
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111403507A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 吳東
• 申請（專利權）人: 蘇州東薇極光信息科技有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/102;H01L23/36
• 代理公司: 杭州知學知識產權代理事務所(普通合伙) 33356
• 代理人: 何紅信

1.一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：包括絕緣基底、光電轉換工質、感光端電極和冷端電極；所述光電轉換工質覆設在絕緣基底上；

所述光電轉換工質包括感光區和與感光區相連的非感光區；光電轉換工質兩端分別為位于感光區一端的感光端和位于非感光區一端的冷端，感光端電極與感光端相連，冷端電極與冷端相連；所述光電轉換工質為三維狄拉克半金屬。

2.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：所述感光區和非感光區相互垂直且構成L形。

3.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：所述絕緣基底為具備電絕緣和/或熱絕緣的絕緣基底。

4.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：所述感光區的上表面設有抗反膜；所述感光區的下表面設有增反膜；所述感光區的感光面為黑化面，或者，感光區的感光面為磨砂面。

5.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：所述冷端連接有熱沉基底；所述熱沉基底由導熱材料制成。

6.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：光電轉換工質厚度范圍為50nm-1μm。

7.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：所述感光區與絕緣基底之間設有絕熱層和/或架空層。

8.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：三維狄拉克半金屬為化合物HfTe₅或化合物ZrTe₅。

9.根據權利要求1所述的一種非制冷超寬光譜光電轉換器，其特征在于：三維狄拉克半金屬中摻雜有主族元素。

10.一種非制冷超寬光譜陣列探測器，其特征在于：由若干個權利要求1至9任一所述的非制冷超寬光譜光電轉換器集成或拼接而成，所述每個光電轉換工質的感光區均位于同一平面上。