[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010119160.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111952441A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊明諺;林文欽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L43/08 | 分類號(hào): | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ)器 裝置 | ||
1.一種存儲(chǔ)器裝置,包括:
一穿隧阻擋層,位于一半導(dǎo)體基板上的一參考層上;
一自由層,位于該穿隧阻擋層上;
一蓋層,位于該自由層上;以及
一分流結(jié)構(gòu),包括一導(dǎo)電材料并自該自由層的外側(cè)側(cè)壁垂直地連續(xù)延伸至該蓋層的外側(cè)側(cè)壁。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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