[發(fā)明專利]垂直存儲器件及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010118717.1 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111627480A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 申昌煥;宋哲;李昌燮 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C16/08 | 分類號: | G11C16/08;G11C16/14;G11C16/24 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張婧 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 存儲 器件 及其 操作方法 | ||
本公開提供垂直存儲器件及其操作方法。提供一種存儲器件的操作方法,該存儲器件包括在基板上的多個串,其中所述多個串包括連接到位線的主串和與所述位線間隔開的虛擬串,所述操作方法包括:預編程虛擬串;以及擦除主串和虛擬串,其中預編程包括:將預編程電壓施加到連接到虛擬串的字線;將通過電壓施加到連接到虛擬串的地選擇晶體管的地選擇線;以及將公共源極線電壓施加到連接到虛擬串的公共源極線。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年2月27日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2019-0023285號的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
技術領域
本發(fā)明構(gòu)思涉及一種垂直存儲器件及其操作方法。
背景技術
近年來,需要高度集成并能夠存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器件。已經(jīng)開發(fā)了垂直存儲器件,其包括三維垂直布置的存儲單元,以提高集成。由于存儲器件的集成的提高,存儲器件按比例縮小,從而導致其結(jié)構(gòu)改變。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)變化會損壞存儲器件中的串并因此損壞存儲在存儲器件中的數(shù)據(jù)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例,提供了一種存儲器件的操作方法,所述存儲器件包括在基板上的多個串,其中所述多個串包括連接到位線的主串和與位線間隔開的虛擬串,操作方法包括:預編程虛擬串;以及擦除主串和虛擬串,其中預編程包括:將預編程電壓施加到連接到虛擬串的字線;將通過電壓施加到連接到虛擬串的地選擇晶體管的地選擇線;以及將公共源極線電壓施加到連接到虛擬串的公共源極線。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實施例,提供了一種存儲器件,該存儲器件包括:存儲單元陣列,包括多個串,每個串包括分別連接到垂直堆疊在基板上的字線的存儲單元;控制邏輯,被配置為對所述多個串順序地執(zhí)行預編程操作和擦除操作,其中所述多個串包括連接到位線的主串和與所述位線間隔開的虛擬串,并且為了執(zhí)行預編程操作,控制邏輯將預編程電壓施加到連接到虛擬串的至少一條字線、將通過電壓施加到連接到虛擬串的地選擇晶體管的地選擇線以及將公共源極線電壓施加到連接到虛擬串的公共源極線。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實施例,提供了一種存儲器件,該存儲器件包括:存儲單元陣列,包括多個串,每個串包括分別連接到垂直堆疊在基板上的字線的存儲單元;以及控制邏輯,被配置為對所述多個串執(zhí)行預編程操作,其中所述多個串包括連接到位線的主串和與所述位線間隔開的虛擬串,控制邏輯在預編程操作期間將預編程電壓施加到字線、將通過電壓施加到連接到虛擬串的地選擇晶體管的地選擇線并將第一公共源極線電壓施加到連接到虛擬串的公共源極線,并且將預編程電壓施加到字線的時間、將通過電壓施加到地選擇線的時間以及將第一公共源極線電壓施加到公公共源極線的時間彼此重疊。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實施例,提供了一種包括多個串的存儲器件的操作方法,其中,所述多個串包括連接到多條位線中的第一位線的第一串以及不連接到位線的第二串,操作方法包括:將預編程電壓施加到連接到第二串的字線;將通過電壓施加到連接到第二串的地選擇晶體管的地選擇線;以及將公共源極線電壓施加到連接到第二串的公共源極線。
附圖說明
通過參考附圖詳細描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例,將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他特征,其中:
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器件的框圖;
圖2A、2B和2C是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的、用于說明圖1中所示的第一存儲塊的視圖;
圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器件的操作方法的流程圖;
圖3B是示出在由根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器件執(zhí)行的預編程操作期間的電壓條件的表;
圖4、圖5、圖6、圖7和圖8是在由根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的存儲器件執(zhí)行的預編程操作和擦除操作期間施加到每條線的電壓的時序圖;
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