[發(fā)明專利]線圈部件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010118657.3
• 申請(qǐng)日: 2020-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN111627668A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉留和宏;松元裕之;大久保等;中野敦之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TDK株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01F27/24
• 分類號(hào): H01F27/24;H01F17/04;B22D11/06;C22C38/02;C22C38/12
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;陳明霞

本發(fā)明得到一種抑制芯損耗且具有較高的電感的線圈部件。線圈部件包含線圈及磁芯。磁芯具有層疊有多個(gè)軟磁性層的層疊體。層疊體中的磁性材料的體積占比為50％以上99.5％以下。在軟磁性層能觀察到由鐵基納米結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種線圈部件。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1中記載有包含金屬磁性板的線圈部件的發(fā)明。與不包含金屬磁性板的線圈部件相比，專利文獻(xiàn)1所記載的線圈部件的電感等提高。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-195245號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

但是，專利文獻(xiàn)1所記載的線圈電子部件存在芯損耗變大，且用作電感器的情況下溫度上升的缺點(diǎn)。

本發(fā)明的目的在于，得到一種抑制芯損耗，抑制溫度的上升，且具有較高的電感的線圈部件。

用于解決技術(shù)問題的手段

為了達(dá)成所述目的，本發(fā)明提供一種線圈部件，其特征在于，

該線圈部件包含線圈及磁芯，

所述磁芯具有層疊有多個(gè)軟磁性層的層疊體，

所述層疊體中的磁性材料的體積占比為50％以上且99.5％以下，

在所述軟磁性層能夠觀察到由鐵基納米結(jié)晶構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的線圈部件通過具有上述特征，成為抑制芯損耗且具有較高的電感的線圈部件。

所述層疊體的多個(gè)軟磁性層及多個(gè)粘接層可以交替層疊。

優(yōu)選所述軟磁性層與磁通的流通方向大致平行地排列。

所述磁芯也可以包含含磁性體的樹脂，

所述含磁性體的樹脂也可以覆蓋所述線圈的至少一部分及所述層疊體的至少一部分。

優(yōu)選所述軟磁性層由組成式(Fe_(1-(α+β))X1_αX2_β)_{(1-(a+b+c+d+e+f))}M_aB_bP_cSi_dC_eS_f構(gòu)成，

優(yōu)選X1為選自Co及Ni中的一種以上，

X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O以及稀土元素中的一種以上，

M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti以及V中的一種以上，

0≤a≤0.140；

0.020≤b≤0.200；

0≤c≤0.150；

0≤d≤0.090；

0≤e≤0.030；

0≤f≤0.030；

α≥0；

β≥0；

0≤α+β≤0.50，

優(yōu)選a、c及d中至少一個(gè)以上比0大。

優(yōu)選所述軟磁性層的厚度為10μm以上且30μm以下。

優(yōu)選在所述軟磁性層形成有微間隙。