[發(fā)明專利]基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010118636.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN111291877B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃如;劉姝涵;黃芊芊;陳誠(chéng);蔡一茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): G06N3/063
• 分類號(hào): G06N3/063
• 代理公司: 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路，其特征在于，該電路包括電容、重置管、正反饋管、兩級(jí)串聯(lián)的反相器、鐵電晶體管；其中，電容的兩端分別連接于第一級(jí)反相器的輸入端與GND；重置管是一個(gè)N型MOSFET器件，柵端與第二級(jí)反相器的輸出端相連，漏端與第一級(jí)反相器的輸入端相連，源端連接于GND；正反饋管是一個(gè)P型MOSFET器件，柵端與第一級(jí)反相器的輸出端相連，漏端與第一級(jí)反相器的輸入端相連，源端連接于固定的電源電壓；兩級(jí)串聯(lián)的反相器由兩組互補(bǔ)CMOS構(gòu)成；鐵電晶體管是一個(gè)N型FeFET器件，漏端與第一級(jí)反相器的輸入端相連，源端連接于GND，柵端連接于與另一具有同樣結(jié)構(gòu)的側(cè)抑制神經(jīng)元電路的第一級(jí)反相器的輸入端。

2.如權(quán)利要求1所述的基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路，其特征在于，電容用于模擬生物神經(jīng)元的細(xì)胞膜電容，積累由輸入的突觸后電流帶來(lái)的電荷。

3.如權(quán)利要求1所述的基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路，其特征在于，兩級(jí)串聯(lián)的反相器起到放大輸入端電壓變化的作用，脈沖生成于其輸出端，其中CMOS的N型MOSFET的源端與GND相連，CMOS的P型MOSFET的源端與固定的電源電壓相連。

4.如權(quán)利要求1所述的基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路，其特征在于，所述FeFET器件基于MFMIS、MFIS或MFS結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的基于鐵電晶體管FeFET的側(cè)抑制神經(jīng)元電路，其特征在于，所述FeFET器件采用鈣鈦礦型鐵電(PZT,BFO，SBT)、鐵電聚合物(P(VDF-TrFE))材料或HfO2摻Zr(HZO)、HfO2摻Al(HfAlO)、HfO2摻Si、HfO2摻Y(jié)。