[發(fā)明專利]變剛度減振裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010118619.8
• 申請(qǐng)日: 2020-02-26
• 公開（公告）號(hào): CN111623075B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤優(yōu)步;井上敏郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 本田技研工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): F16F13/30
• 分類號(hào): F16F13/30;F16F13/10
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種變剛度減振裝置，所述變剛度減振裝置包括：

環(huán)形的第一支撐構(gòu)件，所述第一支撐構(gòu)件中限定有內(nèi)孔；

第二支撐構(gòu)件，所述第二支撐構(gòu)件包括關(guān)于軸向與所述第一支撐構(gòu)件分開的支撐部分；

環(huán)形的主彈性構(gòu)件，所述主彈性構(gòu)件將所述第一支撐構(gòu)件和所述第二支撐構(gòu)件的所述支撐部分連接；

隔膜，所述隔膜封閉所述第一支撐構(gòu)件的所述內(nèi)孔，以使得在所述主彈性構(gòu)件與所述隔膜之間限定液體室；

分隔彈性構(gòu)件，所述分隔彈性構(gòu)件將所述液體室分隔成位于所述主彈性構(gòu)件那一側(cè)的第一液體室和位于所述隔膜那一側(cè)的第二液體室；

第一連通通道，所述第一連通通道設(shè)置在所述第一支撐構(gòu)件和所述第二支撐構(gòu)件中的一者中，以使所述第一液體室和所述第二液體室經(jīng)由所述第一連通通道彼此連通，所述第一連通通道包括沿周向延伸的第一周向通道；

至少一個(gè)線圈，所述至少一個(gè)線圈與所述第一支撐構(gòu)件和所述第二支撐構(gòu)件中的所述一者同軸地纏繞并設(shè)置在其中；

磁軛，所述磁軛被包括在所述第一支撐構(gòu)件和所述第二支撐構(gòu)件中的所述一者中，并且被構(gòu)造成形成包括與所述第一周向通道重疊的部分的第一磁隙；以及

磁性流體，所述磁性流體填充所述第一液體室、所述第二液體室和所述第一連通通道，

其中，所述第二支撐構(gòu)件還包括從所述支撐部分朝向所述第一支撐構(gòu)件突出并被所述第一支撐構(gòu)件的所述內(nèi)孔接納的軸向部分，

所述分隔彈性構(gòu)件具有圍繞所述軸向部分的環(huán)形形狀，以連接所述第一支撐構(gòu)件的內(nèi)周部分和所述軸向部分的外周部分，

所述分隔彈性構(gòu)件設(shè)置有沿徑向隔著所述軸向部分彼此對(duì)置并且沿所述周向彼此分隔的至少一對(duì)第三液體室，

第二連通通道設(shè)置在所述第一支撐構(gòu)件和所述第二支撐構(gòu)件中的所述一者中，以使所述至少一對(duì)第三液體室經(jīng)由所述第二連通通道彼此連通，并且所述第二連通通道包括沿所述周向延伸的第二周向通道，并且

所述磁軛被構(gòu)造成形成包括與所述第二周向通道重疊的部分的第二磁隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變剛度減振裝置，其中，所述第一周向通道位于所述至少一個(gè)線圈的外周側(cè)上，并且所述第二周向通道位于所述至少一個(gè)線圈的內(nèi)周側(cè)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變剛度減振裝置，其中，所述至少一個(gè)線圈包括：

第一線圈，所述第一線圈與所述第一周向通道相鄰；以及

第二線圈，所述第二線圈與所述第二周向通道相鄰。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變剛度減振裝置，其中，所述磁軛包括：

第一磁軛，所述第一磁軛被構(gòu)造成形成所述第一磁隙并包圍所述第一線圈；以及

第二磁軛，所述第二磁軛被構(gòu)造成形成所述第二磁隙并包圍所述第二線圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的變剛度減振裝置，其中，所述第一磁軛和所述第二磁軛包括彼此共有的部分，并且

所述第一線圈和所述第二線圈沿彼此相反的方向產(chǎn)生磁場。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變剛度減振裝置，其中，所述分隔彈性構(gòu)件至少部分地被所述第一支撐構(gòu)件的所述內(nèi)孔接納，并沿與所述軸向大致正交的方向延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變剛度減振裝置，其中，所述磁軛包括：

通道形成構(gòu)件，所述通道形成構(gòu)件形成所述第一周向通道；以及

一對(duì)層疊構(gòu)件，所述一對(duì)層疊構(gòu)件夾著所述通道形成構(gòu)件沿所述軸向?qū)盈B，并且

所述通道形成構(gòu)件的磁導(dǎo)率低于所述一對(duì)層疊構(gòu)件的磁導(dǎo)率。