[發(fā)明專利]在使用中釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010117452.3 | 申請日： | 2020-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN111234315A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陶再山;李春華 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京曙光精細(xì)化工有限公司 |
| 主分類號： | C08K5/548 | 分類號： | C08K5/548;C08L9/06;C08L9/00;C08K7/26;C08K13/04;C07F7/18 |
| 代理公司： | 南京司南專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32431 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 210047 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 釋放 voc 硅烷偶聯(lián)劑 及其 制備 方法 | ||
1.一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑，該偶聯(lián)劑為[(CH3)2(C2H5O)SiC3H6]2Sx和[CH3(C2H5O)2SiC3H6]2Sx的混合物，x為1到10的自然數(shù)，其特征在于，該含硫硅烷偶聯(lián)劑以[(CH3)2(C2H5O)SiC3H6]2Sx和[CH3(C2H5O)2SiC3H6]2Sx為100％計(jì)，其中：[(CH3)2(C2H5O)SiC3H6]2S2的含量≥40％、[CH3(C2H5O)2SiC3H6]2S2的含量≥40％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑，其特征在于，[(CH3)2(C2H5O)SiC3H6]2S2的含量為40％-47.5％；[CH3(C2H5O)2SiC3H6]2S2的含量為40％-47.5％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑，其特征在于，該含硫硅烷偶聯(lián)劑包含所述混合物的部分水解物、低聚物和聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑，其特征在于，該含硫硅烷偶聯(lián)劑負(fù)載在惰性的有機(jī)或無機(jī)載體上或者先與有機(jī)或者無機(jī)載體反應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑的制備方法，其特征在于，該含硫硅烷偶聯(lián)劑由下述兩種方法制備而成：
(1)方法一：將多硫化鈉與3-氯丙基二甲基乙氧基硅烷和3-氯丙基甲基二乙氧基硅烷的混合物反應(yīng)，即制得釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑；
(2)方法二：將多硫化鈉分別與3-氯丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氯丙基甲基二乙氧基硅烷反應(yīng)，分別得到釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)物A和B，然后將兩種產(chǎn)物A和B混合得到最終產(chǎn)物，即制得釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑的制備方法，其特征在于，方法一中，3-氯丙基二甲基乙氧基硅烷和3-氯丙基甲基二乙氧基硅烷混合物中兩者的重量比為1:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6中所述的一種釋放低量VOC的含硫硅烷偶聯(lián)劑的制備方法，其特征在于，所述3-氯丙基二甲基乙氧基硅烷和3-氯丙基甲基二乙氧基硅烷是通過提純方式將二甲基一氯一氫硅烷和甲基二氯一氫硅烷從甲基氯硅烷單體低沸物中提取后制備而成。
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