[發明專利]一種外延生長設備的反應室結構

在審

• 申請號: 202010117118.8
• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN111172587A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 劉子優;肖蘊章;陳炳安;鐘國仿;張燦;張新河
• 申請（專利權）人: 深圳市納設智能裝備有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B25/14;C30B25/16;C30B25/20;C30B28/14;C30B29/36
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 郭堃

本發明公開了一種外延生長設備的反應室結構，包括：石英管、感應加熱裝置、反應腔室組件、分氣組件、抽氣組件，所述石英管為兩端設有開口的圓形筒體結構，所述石英管的上部中間位置垂直設有第一圓筒，所述感應加熱裝置活動設置在所述石英管的外部，兩個所述反應腔室組件活動設置所述石英管的內部，所述分氣組件活動設置在所述石英管內并與所述第一圓筒活動連接，兩個所述抽氣組件分別設置在所述石英管的兩端。本發明通過增加分機組件，改進了反應腔體結構，完成了兩臺設備的產能，極大的降低了成本，節省了大部分潔凈室空間，控制保護氣體與反應氣體的流量，減少反應氣體從反應室內流出的速率，提高了氣體利用率。

技術領域

本發明涉及化學氣相沉積技術領域，特別涉及一種外延生長設備的反應室結構。

背景技術

目前隨著技術的發展，化學氣相沉積(Chemical VaporDeposition，簡稱為CVD)技術已經得到越來越多的應用。

碳化硅(SiC)材料是繼第一代半導體材料硅(Si)和第二代半導體(砷化鎵GaAs)后的第三代寬禁帶半導體材料。碳化硅晶體結構具有同質多型的特點，其基本結構是Si-C的四面體結構，屬于密堆積結構。其性能具有更高的禁帶寬度、高臨界擊穿電場、高導熱率、高載流子飽和漂移速度等優越的性能，在半導體照明、電力電子器件、激光器、探測器等領域應用中蘊含著巨大的前景。

目前，在碳化硅材料的制作工藝上，存在非常多的難點，生長高質量的外延片更是對設備及工藝要求的一種挑戰，設備的溫場均勻性，反應室內的壓力控制，及氣體的流量等主要參數，對碳化硅的生長質量起決定性作用。由于這幾種參數的控制較為困難，碳化硅外延片的成品良率并不理想。在當前的技術水平下無法進一步的提高良率，并切每次工藝時間較長，因此，需要在當前工藝條件的前提下進一步提高反應室的產能來提高設備效率。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種通過增加分機組件，改進反應腔體內部結構，極大的提高產能并降低了成本，提高了氣體利用率的外延生長設備的反應室結構。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案為：

一種外延生長設備的反應室結構，包括：

石英管，所述石英管為兩端設有開口的圓形筒體結構，所述石英管的上部中間位置垂直設有第一圓筒，所述第一圓筒與所述石英管貫穿連接；

感應加熱裝置，所述感應加熱裝置活動設置在所述石英管的外部；

反應腔室組件，所述反應腔室組件為兩個，兩個所述反應腔室組件活動設置所述石英管的內部，兩個所述反應腔室組件對稱設置所述第一圓筒的兩側；

分氣組件，所述分氣組件活動設置在所述石英管內并與所述第一圓筒活動連接；

抽氣組件，所述抽氣組件為兩個，兩個所述抽氣組件分別設置在所述石英管的兩端，兩個所述抽氣組件分別與所述反應腔室組件活動連接。

優選地，所述抽氣組件包括端板及與所述端板連接的氣管，所述端板半嵌入設置在所述石英管的端部，所述端板與所述石英管相匹配，所述端板上設有傳片通道孔、第一進氣孔、第二進氣孔，所述第一進氣孔、第二進氣孔分別位于在所述傳片通道的上部和下部，所述第一進氣孔、第二進氣孔分別與所述氣管貫穿連接。

優選地，所述傳片通道孔為矩形孔，所述傳片通道水平貫穿所述端板設置。

優選地，所述分氣組件為截面是工字形的結構體，所述分氣組件包括第一分氣板、連接板、第二分氣板，所述連接板垂直設置在所述第一分氣板、第二分氣板的中部。