[發(fā)明專利]一種單晶斷苞后自動回熔工藝

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• 申請日: 2020-02-25
• 公開（公告）號: CN113373509A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 趙國偉;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;吳樹飛;劉振宇;劉學;劉有益;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮
• 申請（專利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：包括以下步驟，

S1：進行坩堝內(nèi)硅溶液升溫；

S2：升溫結(jié)束后，自動階段下降回熔單晶進行回熔，并在每一階段回熔時，判定所述回熔單晶回熔狀態(tài)，直至所述回熔單晶的重量達到降溫初始單晶重量；

降低所述硅溶液溫度，在此降溫過程中繼續(xù)所述自動階段下降回熔單晶回熔，直至所述回熔單晶的重量達到恢復引晶功率單晶重量，將所述硅溶液的溫度維持在引晶溫度，繼續(xù)所述回熔單晶回熔，直至所述回熔單晶回熔完；

S3：進行穩(wěn)溫、引晶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：在步驟S1之前，還進行斷苞后的回熔單晶是否回熔的判定，根據(jù)所述回熔單晶的長度進行所述回熔單晶是否回熔的判定：

當所述回熔單晶的長度不大于標準長度時，進行回熔；

當所述回熔單晶的長度大于標準長度時，不進行回熔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述標準長度為500mm-700mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述步驟S2中自動階段下降進行所述回熔單晶回熔為依次進行多個階段的所述回熔單晶的下降進行回熔，具體為：

在每一階段內(nèi)，測量所述回熔單晶的初始重量，并將該回熔單晶下降一定距離至所述硅溶液液面下，在預設的回熔時間內(nèi)進行回熔，當達到所述回熔時間后，進行所述回熔單晶是否回熔完的判定，

若所述硅溶液內(nèi)的回熔單晶回熔完，進行下一階段下降回熔單晶回熔；否則，進行回熔狀態(tài)判定。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述在每一階段內(nèi)回熔單晶下降的距離為所述回熔單晶的長度乘以回熔單晶下降距離比例。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述回熔單晶下降比例為10％-100％，且從初始階段回熔單晶下降比例至最終階段回熔單晶下降比例逐次增大。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述回熔時間為13-15min。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述回熔單晶是否回熔完的判定為：在所述回熔時間內(nèi)，所述硅溶液液面接觸電壓是否發(fā)生改變，若接觸電壓發(fā)生改變，則判定所述回熔單晶回熔完；否則，判定所述回熔單晶未回熔完。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或6或8所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述回熔狀態(tài)的判定包括以下步驟：

S200：當達到預設的回熔時間后，將所述回熔單晶提升至下降之前的位置，并測量所述回熔單晶的重量；

S201：對該階段的回熔單晶的初始重量和回熔后的重量進行差值計算，若該差值小于標準差值，則進行下一階段的回熔單晶的回熔；否則，進行步驟S203；

S203：以該階段下降距離下降所述回熔單晶，并在預設的回熔時間內(nèi)進行回熔，當達到所述回熔時間后，進行所述硅溶液內(nèi)的回熔單晶是否回熔完的判定，

若所述硅溶液內(nèi)的回熔單晶回熔完，進行下一階段下降回熔單晶回熔；否則，進行步驟S200。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單晶斷苞后自動回熔工藝，其特征在于：所述標準差值為3-5kg。